[发明专利]Al2O3/HfxLa1-xO/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法

摘要

本发明涉及一种Al₂O₃/Hf_xLa_1-xO/SiO₂堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法，包括：SiC衬底上设有SiC外延层；堆垛栅介质层包括下层SiO₂过渡层、Hf_xLa_1-xO层和Al₂O₃覆盖层；SiC外延层上设有下层SiO₂过渡层，下层SiO₂过渡层上设有Hf_xLa_1-xO层，Hf_xLa_1-xO层上设有Al₂O₃覆盖层；正负电极分别与Al₂O₃覆盖层的表面和SiC衬底的背面连接。该堆垛栅介质层的SiC MOS电容，降低界面态密度和边界陷阱密度，增加MOS沟道迁移率，减小了栅漏电流，并提升了介质层的耐压能力，提高了SiC MOS电容的质量和增强了其可靠性。

主权项

一种Al₂O₃/Hf_xLa_1‑xO/SiO₂堆垛栅介质层的SiC MOS电容，其特征在于，所述堆垛介质层的SiC MOS电容包括：SiC衬底、SiC外延层、堆垛栅介质层和正负电极；所述SiC衬底上设有SiC外延层；所述堆垛栅介质层包括下层SiO₂过渡层、Hf_xLa_1‑xO层和Al₂O₃覆盖层；所述SiC外延层上设有下层SiO₂过渡层，所述下层SiO₂过渡层上设有所述Hf_xLa_1‑xO层，所述Hf_xLa_1‑xO层上设有Al₂O₃覆盖层；所述正负电极分别与Al₂O₃覆盖层的表面和SiC衬底的背面连接；所述SiC衬底为重掺杂的SiC衬底层，所述SiC外延层为轻掺杂的SiC外延层。