[发明专利]用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺

摘要

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，属于晶体硅太阳能电池片制造领域。该工艺将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70‑120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，背电极和正电极丝网印刷及烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备。本发明通过对PECVD工艺、高温烧结工艺和再生恢复工艺的优化，控制晶体硅内氢原子的浓度及其扩散运动，实现晶体硅太阳能电池片LID的抑制与改善；同时，利用沉积或等离子体氧化形成的SiOx薄膜，有效地防止晶体硅太阳能电池片PID的发生，可以应用于工业化生产。

主权项

一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，包括如下步骤：将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70‑120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，介电层[H]含量为5‑25at.％；最后采用丝网印刷制备背电极和正电极后，进行高温烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备；所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3‑20nm，折射率为1.4‑1.6；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，所述的SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为65‑90nm；所述的高温烧结采用如下方法进行：将丝网印刷后的电池片置于高温烧结炉中，所述的高温烧结炉由干燥区和烧结区两部分组成，其中，干燥区温度为180‑400℃、烧结区温度为500‑900℃、高温烧结炉的带速为1‑8m/min；所述的晶体硅太阳能电池片采用LID再生恢复工艺进行制备；所述的LID再生恢复工艺采用如下方法进行：将所述的晶体硅太阳能电池片置于再生恢复设备中，在进行50‑250℃处理的同时施加光辐照或正向偏压。