[发明专利]用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺

权利要求书

1.一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，包括如下步骤：

将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70-120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，介电层[H]含量为5-25at.％；最后采用丝网印刷制备背电极和正电极后，进行高温烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备；

所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiO_x薄膜，SiO_x膜厚为3-20nm，折射率为1.4-1.6；形成SiO_x薄膜后，继续沉积，形成SiN_x/SiN_y减反层，所述的SiO_x薄膜+SiN_x/SiN_y减反层的厚度为65-90nm；所述的高温烧结采用如下方法进行：将丝网印刷后的电池片置于高温烧结炉中，所述的高温烧结炉由干燥区和烧结区两部分组成，其中，干燥区温度为180-400℃、烧结区温度为500-900℃、高温烧结炉的带速为1-8m/min；

所述的晶体硅太阳能电池片采用LID再生恢复工艺进行制备；所述的LID再生恢复工艺采用如下方法进行：将所述的晶体硅太阳能电池片置于再生恢复设备中，在进行50-250℃处理的同时施加光辐照或正向偏压。

2.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的硅片为单多晶硅片。

3.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的光辐照由紫外光、可见光或红外光源提供，辐照光强＞1suns，光辐照的时间＜60s。

4.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的正向偏压由恒流源提供，电流密度≥10mA/cm²，施加时间＜60s。

5.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的沉积包括SiOx沉积和SiNx沉积；所述的SiOx沉积通过同时通入SiH₄和N₂O完成；所述的SiNx沉积通过同时通入SiH₄和NH₃完成。

6.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的等离子体氧化通过通入N₂O完成。

7.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀。