[发明专利]使用交替硬掩模和密闭性蚀刻停止衬垫方案使紧密间距导电层与引导通孔接触的方法和结构有效
| 申请号： | 201480083550.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004633B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | J·S·沙瓦拉;R·A·布雷恩;R·E·申克尔;K·J·辛格;A·M·迈尔斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于半导体器件的具有交替的电介质盖和蚀刻停止衬垫的互连结构以及用于制造这种装置的方法。根据实施例，互连结构可以包括层间电介质(ILD)，所述层间电介质具有在ILD的顶表面之上的第一硬掩模层。所述互连结构还可以包括ILD中的一个或多个第一互连线。第一电介质盖可以定位于每个所述第一互连线的顶表面上方。额外的实施例包括ILD中的与所述第一互连线布置成交替图案的一个或多个第二互连线。第二电介质盖可以形成于每个所述第二互连线的顶表面上方。实施例还可以包括形成在第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 交替 硬掩模 密闭 蚀刻 停止 衬垫 方案 紧密 间距 导电 引导 接触 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种互连结构，包括：层间电介质(ILD)，其具有在所述ILD的顶表面之上的第一硬掩模层；在所述ILD中的一个或多个第一互连线，其中，第一电介质盖在每个所述第一互连线的顶表面上方；所述ILD中的与所述第一互连线布置成交替图案的一个或多个第二互连线，其中，第二电介质盖在每个所述第二互连线的顶表面上方；以及所述第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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