[发明专利]使用交替硬掩模和密闭性蚀刻停止衬垫方案使紧密间距导电层与引导通孔接触的方法和结构

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

层间电介质ILD，其具有形成在所述ILD的顶表面之上的第一硬掩模层；

形成在所述ILD中的一个或多个第一互连线，其中，第一电介质盖形成在每个所述第一互连线的顶表面上方；

形成到所述ILD中的与所述第一互连线成交替图案的一个或多个第二互连线，其中，第二电介质盖形成在每个所述第二互连线的顶表面上方；以及

形成在所述第一电介质盖的顶表面之上的蚀刻停止衬垫，

其中，所述蚀刻停止衬垫将所述第一电介质盖与所述第一互连线分开。

2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述蚀刻停止衬垫将所述第二电介质盖与所述第二互连线分开。

3.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述蚀刻停止衬垫形成在所述第二电介质盖的顶表面之上。

4.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述蚀刻停止衬垫是在蚀刻停止衬垫蚀刻工艺期间相对于所述第一电介质盖、所述第二电介质盖和所述第一硬掩模层具有10:1或更大的蚀刻选择性的材料。

5.根据权利要求4所述的互连结构，其中，所述蚀刻停止衬垫蚀刻工艺是湿法蚀刻工艺。

6.根据权利要求5所述的互连结构，其中，干法蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一电介质盖或所述第二电介质盖中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一电介质盖是与所述第二电介质盖不同的材料。

8.根据权利要求7所述的互连结构，其中，针对给定蚀刻工艺，所述第一电介质盖相对于所述第二电介质盖具有10:1或更大的蚀刻选择性。

9.根据权利要求1所述的互连结构，还包括穿过所述ILD形成的一个或多个第一通孔，其中，第一电介质盖形成在所述一个或多个第一通孔的顶表面上方。

10.根据权利要求1所述的互连结构，还包括穿过所述ILD形成的一个或多个第二通孔，其中，第二电介质盖形成在所述一个或多个第二通孔的顶表面上方。

11.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一电介质盖和所述第二电介质盖为SiO_xC_yN_z材料、金属氧化物材料或金属氮化物材料。

12.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述蚀刻停止衬垫是氧化铝或氧化铪材料。

13.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一互连线与所述第二互连线的间隔小于25nm。

14.一种形成互连件的方法，包括：

将一个或多个第一沟槽形成到层间电介质ILD中；

将第一金属设置到所述一个或多个第一沟槽中以形成第一互连线；

在所述第一互连线的顶表面之上形成蚀刻停止衬垫；

在形成在所述第一互连线的顶表面之上的所述蚀刻停止衬垫上方形成第一电介质盖；

以与所述第一沟槽成交替的图案将一个或多个第二沟槽形成到所述ILD中；

将第二金属设置到所述一个或多个第二沟槽中以形成第二互连线；

在所述第二互连线的顶表面之上和所述第一电介质盖的顶表面之上形成蚀刻停止衬垫；以及

在所述第二互连线上方形成第二电介质盖。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成所述第一沟槽包括：

在形成在所述ILD之上的第一硬掩模层上方形成骨干层；

在所述骨干层上形成间隔体，其中，所述第一硬掩模层的一部分保持暴露于所述间隔体之间；以及

蚀刻穿过所述第一硬掩模层的暴露部分并进入位于所述第一硬掩模层的所述暴露部分下面的所述ILD中。