[发明专利]高密度线性电容器在审
| 申请号： | 201480063001.9 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105723535A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | B·S·李;S·S·巴扎加尼;L·戴 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/522;H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造电容器结构的方法包括在半导体基板上制造多晶硅结构(PO)。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。该多晶硅结构被设置在具有MD互连的交织布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电容器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 线性 电容器 | ||
【主权项】：
一种用于制造电容器结构的方法，包括：在半导体基板上制造多个多晶硅结构；在所述半导体基板上制造多个M1至扩散(MD)互连，其中所述多个多晶硅结构被置于具有所述多个MD互连的交织式布局中；以及选择性地连接所述多个MD互连的所述交织式布局和/或所述多个多晶硅结构作为所述电容器结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480063001.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：方形电池
- 下一篇：用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法
