[发明专利]高密度线性电容器

权利要求书

1.一种用于制造电容器结构的方法，包括：

在半导体基板上制造多个多晶硅结构；

在所述半导体基板上制造多个M1至扩散(MD)互连，其中所述多个多晶硅结构被置于具有所述多个MD互连的交织式布局中；以及

选择性地连接所述多个MD互连的所述交织式布局和/或所述多个多晶硅结构作为所述电容器结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个多晶硅结构在浮置电势处。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个MD互连中的每隔一个互连被电耦合为所述电容器结构的第一端子。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个MD互连被电耦合为所述电容器结构的第一端子，并且所述多个多晶硅结构被电耦合为所述电容器结构的第二端子。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个多晶硅结构和所述多个MD互连直接在所述半导体基板的浅沟槽隔离(STI)区域上。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括与制造所述电容器结构并行地制造FinFET器件。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个多晶硅结构的子集包括栅极触点。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容器结构被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

9.一种电容器结构，包括：

半导体基板上的多个多晶硅结构；以及

所述半导体基板上的多个M1至扩散(MD)互连，所述多个多晶硅结构被置于具有所述多个MD互连的交织式布局中，其中所述多个MD互连和/或所述多个多晶硅结构被选择性地在所述交织式布局中连接作为所述电容器结构。

10.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述MD互连在浮置电势处。

11.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述多晶硅结构是所述电容器结构的板。

12.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述多个MD互连中的每隔一个互连被电耦合为所述电容器结构的第一端子。

13.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述多个MD互连被电耦合为所述电容器结构的第一端子，并且所述多个多晶硅结构被电耦合为所述电容器结构的第二端子。

14.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述多个多晶硅结构和所述多个MD互连直接在所述半导体基板的浅沟槽隔离(STI)区域上。

15.如权利要求9所述的电容器，其特征在于，进一步包括FinFET器件。

16.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述多个多晶硅结构的子集包括栅极触点。

17.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。

18.一种用于制造电容器结构的方法，包括以下步骤：

用于在半导体基板上制造多个多晶硅结构的步骤；

用于在所述半导体基板上制造多个M1至扩散(MD)互连的步骤，其中所述多个多晶硅结构被置于具有所述多个MD互连的交织式布局中；以及

用于选择性地连接所述多个MD互连的所述交织式布局和/或所述多个多晶硅结构作为所述电容器结构的步骤。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述电容器结构被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。