[发明专利]高密度线性电容器

说明书

相关申请的交叉引用

本公开要求于2013年11月20日提交的题为“HIGHDENSITYLINEARCAPACITOR(高密度线性电容器)”的美国临时专利申请No.61/906,834的权益，其公开内容通过援引全部明确纳入于此。

背景技术

领域

本公开的诸方面涉及半导体器件，并且尤其涉及半导体结构中的电容器。

背景技术

在混频信号/射频(RF)电路中，期望具有增大的密度的线性电容器以减少面积。可使用金属电容器，诸如旋转式金属-氧化物-金属(RTMOM)和叉指金属-氧化物-金属(FMOM)。然而，其密度比非线性的金属-氧化物-半导体(MOS)电容器低得多。

概述

一种用于制造电容器结构的方法包括在半导体基板上制造多晶硅结构。该方法进一步包括在半导体基板上制造M1至扩散(MD)互连。多晶硅结构被置于具有MD互连的交织式布局中。该方法还包括选择性地连接MD互连的交织式布局和/或多晶硅结构作为电容器结构。

一种电容器结构包括半导体基板上的多晶硅结构。该结构还包括半导体基板上的M1至扩散(MD)互连。多晶硅结构被置于具有MD互连的交织式布局中。MD互连和/或多晶硅结构被选择性地在交织式布局中连接作为电容器结构。

一种电容器结构包括半导体基板上的多晶硅结构。该电容器结构包括用于将导电层互连至半导体基板上的氧化物扩散区域的装置。多晶硅结构被置于具有互连装置的交织式布局中。多晶硅结构和/或互连装置被选择性地在交织式布局中连接作为电容器结构。

这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应该领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。

附图简述

为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。

图1解说了根据本公开的一方面的FinFET结构。

图2解说了根据本公开的一方面的电容器结构。

图3解说了根据本公开的另一方面的电容器结构。

图4是解说根据本公开的一方面的用于制造电容器结构的方法的过程流程图。

图5是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。

图6是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。

详细描述

以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有的配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文所述的，术语“和/或”的使用旨在代表“可兼性或”，而术语“或”的使用旨在代表“排他性或”。

电容器是在集成电路中用于存储电荷的无源元件。通常使用板之间具有绝缘材料的导电板或导电结构来制造电容器。给定电容器的存储量或电容量取决于用于制造板和绝缘体的材料、板的面积、以及板之间的间距。绝缘材料通常是电介质材料。

电容器能消耗半导体芯片上的大面积，因为许多设计在芯片的基板上放置电容器。该办法占据大量的基板面积，这减少了有源器件的可用面积。另一办法是创建垂直结构，这可被称为垂直平行板(VPP)电容器。VPP电容器结构可通过在芯片上堆叠金属层来创建。然而，VPP结构具有较低的电容存储，或较低的“密度”，因为这些结构不存储大量的电荷。互连和通孔层导电迹线在尺寸上是非常小的。VPP结构中的互连和通孔层导电迹线之间的间距由设计规则来限制，这通常导致大面积以达成此类结构的某个期望电容。尽管被描述为“垂直”，但这些结构可使用半导体制造工艺而处于基本上垂直于基板表面的任何方向上，或在基本上不平行于基板的其他角度。