[发明专利]双极型晶体管

摘要

本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。

主权项

1.一种双极型晶体管，其具有半导体基板，在所述双极型晶体管中，半导体基板具有：p型的发射极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，p型的集电极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，n型的基极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射极区与集电极区之间；p型的第一埋入区，其被设置于基极区的下方处；n型区，其与基极区相比n型杂质浓度较低，且与发射极区、集电极区、基极区和第一埋入区相接，并且使发射极区与基极区以及第一埋入区分离，使集电极区与基极区以及第一埋入区分离，基极区具有位于第一埋入区的上方的第一基极区、和位于与第一基极区相比靠集电极区侧的第二基极区，第二基极区与第一基极区相比n型杂质浓度较高。