[发明专利]双极型晶体管

说明书

本发明公开一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。双极型晶体管(10)具有p型的发射极区(40)、p型的集电极区(20)、被设置于发射极区(40)与集电极区(20)之间的n型的基极区(30)、被设置于基极区(30)的下方的p型的第一埋入区(50)、与基极区(30)相比n型杂质浓度较低的n型区(18)。基极区30具有位于第一埋入区(50)的上方的第一高浓度区(32)以及低浓度区(34)、和位于与低浓度区(34)相比靠集电极区(20)侧的第二高浓度区(35)，第二高浓度区(35)的n型杂质浓度高于低浓度区(34)的n型杂质浓度。

技术领域

(关联申请的相互参照)

本申请为2013年10月21日所申请的日本专利申请特愿2013-218238号的关联申请，本申请要求基于该日本专利申请的优先权，并将该日本专利申请所记载的全部内容作为构成本说明书的内容而援引。

在本说明书中公开的技术涉及一种双极型晶体管。

背景技术

在日本专利公开特开平5-21442号公报(以下，称为专利文献1)中，公开了一种横型的pnp晶体管。在该pnp晶体管中，在集电极区的下方，形成有p⁺型的集电极第二区。由此，由于缩短了载流子(空穴)的移动距离，从而实现了电流放大率的提高。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，也已知一种在集电极区与发射极区之间配置基极区的结构的双极型晶体管。在该结构的双极型晶体管中，具有如下优点，即，由于集电极区与发射极区之间的距离被确保得较长，因此能够提高耐压。但是，由于集电极区与发射极区之间的距离较长，因此载流子的移动距离也变长，从而存在电流放大率降低的情况。

在本说明书中，公开了一种能够在提高耐压的同时提高电流放大率的双极型晶体管。

用于解决课题的方法

在本说明书中所公开的一种双极型晶体管为，具有半导体基板的双极型晶体管。半导体基板具有：p型的发射极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分上；p型的集电极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分上；n型的基极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分上，且被设置于发射极区与集电极区之间；p型的第一埋入区，其被设置于基极区的下方处；n型区，其与基极区相比n型杂质浓度较低，且与发射极区、集电极区、基极区和第一埋入区相接，并且使发射极区与基极区以及第一埋入区分离，使集电极区与基极区以及第一埋入区分离。基极区具有位于第一埋入区的上方的第一基极区、和位于与第一基极区相比靠集电极区侧的第二基极区，第二基极区与第一基极区相比n型杂质浓度较高。

在上述的双极型晶体管中，由于在集电极区与发射极区之间配置有基极区，因此能够将集电极区与发射极区之间距离确保得较长，从而能够提高耐压。另外，在半导体层内的n型的基极区的下方处，具有p型的第一埋入区。在载流子(空穴)于发射极与集电极之间进行移动的情况下，在第一埋入区内不会发生电荷与载流子的结合，从而不会产生损失。因此，能够抑制电流放大率的降低。因此，根据上述的双极型晶体管，能够在提高耐压的同时提高电流放大率。

另外，在上述的双极型晶体管中，基极区具有位于第一埋入区的上方的第一基极区、和位于与第一基极区相比靠集电极区侧的第二基极区。第二基极区与第一基极区相比n型杂质浓度较高。因此，在关断双极型晶体管的情况下，抑制了被形成于集电极与基极之间的耗尽层到达与第二基极区相比靠第一基极区侧的情况。其结果为，能够抑制耗尽层到达至第一埋入区内的情况。即，能够抑制第一埋入区的耗尽化。因此，在将双极型晶体管从关断向导通切换时，由于向被耗尽化的区供给的空穴的量较少，因此能够缩短接通时间。

也可以采用如下方式，即，半导体基板还具有阻止区，所述阻止区与n型区相比n型杂质浓度较高，并从集电极区侧与第一埋入区局部相接，且通过n型区而与发射极区以及集电极区分离。