[发明专利]双极型晶体管

权利要求书

1.一种双极型晶体管，其具有半导体基板，在所述双极型晶体管中，

半导体基板具有：

p型的发射极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，

p型的集电极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，

n型的基极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射极区与集电极区之间；

p型的第一埋入区，其被设置于基极区的下方处；

n型区，其与基极区相比n型杂质浓度较低，且与发射极区、集电极区、基极区和第一埋入区相接，并且使发射极区与基极区以及第一埋入区分离，使集电极区与基极区以及第一埋入区分离，

基极区具有位于第一埋入区的上方的第一基极区、和位于与第一基极区相比靠集电极区侧的第二基极区，

第二基极区与第一基极区相比n型杂质浓度较高。

2.如权利要求1所述的双极型晶体管，其中，

半导体基板还具有阻止区，所述阻止区与n型区相比n型杂质浓度较高，且从集电极区侧与第一埋入区局部相接，并通过n型区而与发射极区以及集电极区分离。

3.如权利要求1或2所述的双极型晶体管，其中，

半导体基板还具有p型的第二埋入区，所述p型的第二埋入区被设置于第一埋入区的下方处，并通过n型区而与发射极区、集电极区以及第一埋入区分离。

4.一种双极型晶体管，其具有半导体基板，在所述双极型晶体管中，

半导体基板具有：

n型的发射极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；

n型的集电极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处；

p型的基极区，其被设置在半导体基板的上表面的一部分处，且被设置在发射极区与集电极区之间；

n型的第一埋入区，其被设置于基极区的下方处；

p型区，其与基极区相比p型杂质浓度较低，且与发射极区、集电极区、基极区和第一埋入区相接，并且使发射极区与基极区以及第一埋入区分离，使集电极区与基极区以及第一埋入区分离，

基极区具有位于第一埋入区的上方的第一基极区、和位于与第一基极区相比靠发射极区侧的第二基极区，

第二基极区与第一基极区相比p型杂质浓度较高。

5.如权利要求4所述的双极型晶体管，其中，

半导体基板还具有阻止区，所述阻止区与p型区相比p型杂质浓度较高，且从发射极区侧与第一埋入区局部相接，并通过p型区而与发射极区以及集电极区分离。

6.如权利要求4或5所述的双极型晶体管，其中，

半导体基板还具有n型的第二埋入区，所述n型的第二埋入区被设置于第一埋入区的下方处，并通过p型区而与发射极区、集电极区以及第一埋入区分离。