[发明专利]元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法有效
| 申请号: | 201480055461.7 | 申请日: | 2014-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN105612600B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
| 发明(设计)人: | 渡边拓生;李忠善;富川真佐夫;竹田清佳 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B32B7/04;C08G73/10;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李国卿 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的课题在于提供一种元件加工用层叠体,所述元件加工用层叠体在半导体电路形成基板的背面研磨、背面电路形成工序中,不产生挥发成分,并且不发生因剥离等而导致的基板的破裂,可在室温下以温和的条件进行剥离,并且在剥离后的半导体电路形成基板侧几乎不残留临时粘接剂。本发明的元件加工用层叠体是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体,其特征在于,临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B,耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力。 | ||
| 搜索关键词: | 元件加工 耐热树脂层 层叠体 基板 支承基板 粘接力 半导体电路 剥离 粘接层 电路形成工序 薄型元件 背面研磨 粘接剂 挥发 背面 制造 破裂 残留 | ||
【主权项】:
一种元件加工用层叠体,其是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体,其特征在于,临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B,耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力,并且,耐热树脂层A包含下述耐热树脂A,所述耐热树脂A为包含酸二酐残基及二胺残基的聚酰亚胺系树脂,且作为所述二胺残基至少具有通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基,
式(1)中,n为自然数,由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的n的平均值为1以上;R1及R2可以相同也可以不同,各自表示碳原子数为1~30的亚烷基或亚苯基;R3~R6可以相同也可以不同,各自表示碳原子数为1~30的烷基、苯基或苯氧基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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