[发明专利]元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法

权利要求书

1.一种元件加工用层叠体，其是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体，其特征在于，临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B，

耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力，

并且，耐热树脂层A包含下述耐热树脂A，所述耐热树脂A为包含酸二酐残基及二胺残基的聚酰亚胺系树脂，且作为所述二胺残基至少具有通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，

式(1)中，n为自然数，由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的n的平均值为1以上；R¹及R²可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的亚烷基或亚苯基；R³～R⁶可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的烷基、苯基或苯氧基。

2.如权利要求1所述的元件加工用层叠体，其中，作为耐热树脂A的二胺残基，以在全部二胺残基中为40摩尔％以上的量包含通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基。

3.如权利要求1所述的元件加工用层叠体，其特征在于，耐热树脂层B包含下述耐热树脂B，所述耐热树脂B为包含酸二酐残基及二胺残基的聚酰亚胺系树脂，且玻璃化温度为300℃以上。

4.如权利要求3所述的元件加工用层叠体，其特征在于，作为耐热树脂B的酸二酐残基，至少具有通式(2)及/或(3)表示的四羧酸二酐的残基；作为二胺残基，至少具有通式(4)及/或(5)表示的芳香族二胺的残基，

式(2)中，R⁷表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、碳原子数为1～30的氟烷基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；

式(3)中，R⁸及R⁹可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；Y表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基；

式(4)中，R¹⁰表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；

式(5)中，R¹¹及R¹²可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；X表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基、或芴基。

5.一种元件加工用层叠体的制造方法，其是制造权利要求1～4中任一项所述的元件加工用层叠体的方法，其中，至少包括下述工序：

在支承基板上层叠耐热树脂A，或者在支承基板上层叠耐热树脂A的前体、然后将其转化为耐热树脂A，从而形成支承基板与耐热树脂层A的层叠体A的工序；

在元件加工用基板上层叠耐热树脂B，或者在元件加工用基板上层叠耐热树脂B的前体、然后将其转化为耐热树脂B，从而形成元件加工用基板与耐热树脂层B的层叠体B的工序；以及

以耐热树脂层A与耐热树脂层B相对的方式，将所述层叠体A和所述层叠体B叠合并进行粘接的工序。