[发明专利]元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法

说明书

本发明的课题在于提供一种元件加工用层叠体，所述元件加工用层叠体在半导体电路形成基板的背面研磨、背面电路形成工序中，不产生挥发成分，并且不发生因剥离等而导致的基板的破裂，可在室温下以温和的条件进行剥离，并且在剥离后的半导体电路形成基板侧几乎不残留临时粘接剂。本发明的元件加工用层叠体是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体，其特征在于，临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B，耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力。

技术领域

本发明涉及临时粘合用粘接剂、和将其用于临时粘接层的元件加工用层叠体、及元件加工用层叠体的制造方法、以及使用了该元件加工用层叠体的薄型元件的制造方法，所述临时粘合用粘接剂的耐热性优异，即使经过半导体装置、图像显示装置等的制造工序，粘接力也不发生变化，随后可在室温下以温和的条件进行剥离。

背景技术

近年来，半导体装置、图像显示装置的轻量化、薄型化不断发展。尤其是在半导体装置中，为了实现半导体元件的高集成化、高密度化，一直在开发通过硅贯通电极(TSV：Through Silicon Via)将半导体芯片连接并进行层叠的技术。另外，需要将封装体(package)减薄，已对将半导体电路形成基板的厚度薄型化为100μm以下并进行加工的情形进行了研究。在该工序中，通过研磨半导体电路形成基板的非电路形成面(背面)而进行薄型化，在所述背面上形成背面电极。为了防止半导体电路形成基板在研磨等工序中破裂，将半导体电路形成基板固定于具有支承性的硅晶片(wafer)、玻璃基板等支承基板，进行研磨、背面电路形成加工等，然后，将经加工的半导体电路形成基板从支承基板剥离。为了将半导体电路形成基板固定于支承基板，使用了临时粘合材料，对于用作所述临时粘合材料的粘接剂，要求耐受半导体工序的程度的耐热性，另外，要求在加工工序结束后可容易地剥离。

作为这样的临时粘接剂，提出了使用硅系的材料、利用加热处理进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献1)；使用聚酰胺或聚酰亚胺系的材料、进行加热而进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献2)等。另外，提出了通过紫外线照射、使耐热性优异的四唑化合物分解而产生气泡从而剥落的材料(例如，参见专利文献3)等。另外，提出了将临时粘接剂制成热塑性有机聚硅氧烷系和固化性改性硅氧烷系的两层结构、在室温下进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献4)。

专利文献1：日本特开2012-144616号公报(权利要求书)

专利文献2：日本特开2010-254808号公报(权利要求书)

专利文献3：日本特开2012-67317号公报(权利要求书)

专利文献4：日本特开2013-48215号公报(权利要求书)

发明内容

然而，利用加热处理进行剥离的临时粘接剂存在以下问题：在用于剥离的加热工序中，焊料凸块熔化；半导体加工工序中的粘接力降低，在工序中途发生剥离；或粘接力上升，变得无法剥离；等等。另外，在使粘接剂具有感光性时，由于添加光聚合引发剂、光敏剂，所以还有在高温真空条件下的工序中产生挥发成分等问题。

虽然在室温下剥离时不存在上述那样的问题，但存在以下问题：由于在剥离后在半导体电路形成基板上附着有临时粘合材料，所以需要利用溶剂等的洗涤除去工序，为了完全除去临时粘合材料，在工序上成为相当大的负担。

鉴于上述情况，本发明的目的在于：提供一种元件加工用层叠体，所述元件加工用层叠体在半导体电路形成基板的背面研磨、背面电路形成工序中，不产生挥发成分，并且不发生因剥离等而导致的基板的破裂，可在室温下以温和的条件进行剥离，并且在剥离后的半导体电路形成基板侧几乎不残留临时粘接剂；还提供所述元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法。