[发明专利]加热构件及具有该加热构件的基板处理装置有效
申请号: | 201480052215.6 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN105580127B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 方弘柱;金尚年;申东和;金玟锡;梁真荣 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王卫忠 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及基板处理装置。本发明的基板处理装置包括:处理室,基板基座,设置在所述处理室,在该基板基座的同一平面上放置有多个基板,该基板基座与旋转轴连接来旋转,加热构件,位于所述基板基座的底面,以及喷射构件,在与放置于所述基板基座的多个基板分别对应的位置,对基板的整个处理面喷射气体;所述加热构件具有内部空间,在所述内部空间,用于对所述基板基座进行加热的多个热线,以所述基板基座的旋转轴为中心,在同心圆上水平和垂直地配置有多列。 | ||
搜索关键词: | 加热 构件 具有 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:处理室,基板基座,设置在所述处理室,在该基板基座的同一平面上放置有多个基板,该基板基座与旋转轴连接来旋转,加热构件,位于所述基板基座的底面,具有内部空间,在所述内部空间,用于对所述基板基座进行加热的多个热线,按照形成以所述基板基座的旋转轴为中心的同心圆的方式在水平方向和垂直方向上配置有多列,以及喷射构件,在与放置于所述基板基座的多个基板分别对应的位置,对基板的整个处理面喷射气体;为了防止因所述热线的热膨胀而产生的热线的下垂和扭曲,所述加热构件还包括用于支撑所述热线的多个热线支撑件;所述热线支撑件包括:支承块;以及棒状的支撑棒,设置在所述支承块的上表面,而且为了使该支撑棒与所述热线之间的接触面实现最小化来防止热损失,并且防止因所述热线的高热而导致所述热线支撑件损坏,所述支撑棒与所述热线进行点接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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