[发明专利]加热构件及具有该加热构件的基板处理装置有效
申请号: | 201480052215.6 | 申请日: | 2014-03-21 |
公开(公告)号: | CN105580127B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 方弘柱;金尚年;申东和;金玟锡;梁真荣 | 申请(专利权)人: | 国际电气高丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/205 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王卫忠 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 构件 具有 处理 装置 | ||
本发明涉及基板处理装置。本发明的基板处理装置包括:处理室,基板基座,设置在所述处理室,在该基板基座的同一平面上放置有多个基板,该基板基座与旋转轴连接来旋转,加热构件,位于所述基板基座的底面,以及喷射构件,在与放置于所述基板基座的多个基板分别对应的位置,对基板的整个处理面喷射气体;所述加热构件具有内部空间,在所述内部空间,用于对所述基板基座进行加热的多个热线,以所述基板基座的旋转轴为中心,在同心圆上水平和垂直地配置有多列。
技术领域
本发明涉及基板处理装置,尤其涉及具有加热构件的基板处理装置。
背景技术
为了在制造半导体元件的沉积过程中改进沉积膜质的一致性(conformability),而引入原子层沉积方式。原子层沉积方式是反复进行以原子层厚度沉积的单位反应循环(cycle),来形成希望厚度的沉积层的过程,原子层沉积方式相对于化学气相沉积(CVD)或者溅射(sputter)方式,沉积速度非常慢,而且用于形成希望的厚度的膜所需要的时间长,导致生产率降低。
尤其,用于放置基板的基座的温度均匀度,是影响沉积在基板上的薄膜的厚度均匀度的最主要要素中的一个。但是,基座因基板数量增加和热损失,而产生边缘部温度降低的现象。此外,因处理气体侵入而产生加热器腐蚀,以及因氧化膜沉积而使加热器性能降低。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于,提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置,所述加热构件能够提高温度均匀性。
此外,本发明的目的在于,提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置,所述加热构件能够防止因热线的热膨胀而产生的热线下垂和扭曲。
此外,本发明的目的在于,提供一种加热构件及具有该加热构件的基板处理装置,所述加热构件能够防止在进行处理时因处理气体而产生的热线的腐蚀。
本发明的目的不限于此,本领域技术人员可通过以下记载更加明确地理解没有提及的其他的目的。
用于解决技术问题的手段
根据本发明的一个侧面,提供一种基板处理装置,包括:处理室,基板基座,设置在所述处理室,在该基板基座的同一平面上放置有多个基板,该基板基座与旋转轴连接来旋转,加热构件,位于所述基板基座的底面,以及喷射构件,在与放置于所述基板基座的多个基板分别对应的位置,对基板的整个处理面喷射气体;所述加热构件具有内部空间,在所述内部空间,用于对所述基板基座进行加热的多个热线,以所述基板基座的旋转轴为中心,在同心圆上水平和垂直地配置有多列。
另外,为了防止因所述热线的热膨胀而产生的热线的下垂和扭曲,所述加热构件还包括用于支撑所述热线的多个热线支撑件。
另外,为了确保所述热线的热膨胀后的流动性,所述热线支撑件包括沿着与所述热线的长度方向正交的方向形成的凹陷的支撑面。
另外,所述热线支撑件包括:支承块;棒状的支撑棒,设置在所述支承块的上表面,而且为了使该支撑棒与所述热线之间的接触面实现最小化来防止热损失,并且防止因所述热线的高热而导致所述热线支撑件损坏,所述支撑棒与所述热线进行点接触。
另外,所述支撑棒的材料与所述热线的材料相同。
另外,所述支撑棒沿着与所述热线的长度方向正交的方向长长地设置。
另外,所述加热构件还包括由上部壁、下部壁及多个侧壁构成的外罩,该外罩使设置有所述热线的内部空间与所述处理室的内部隔开。
另外,所述加热构件还包括供给口,该供给口设置在所述下部壁,用于向所述内部空间供给吹扫气体,从而使处理气体不能侵入所述内部空间。
另外,所述加热构件还包括排气口,该排气口设置在所述下部壁,用于将通过所述供给口供给至所述内部空间的吹扫气体排出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造