[发明专利]用于集成电路的静电放电保护有效
| 申请号： | 201480049879.7 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105556666B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | A·A·M·尤塞夫;P·S·S·古德姆;L-C·常;E·A·S·阿布德尔格哈尼 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03F1/52;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于改善集成电路(IC)中的静电放电(ESD)性能的技术。在一方面，在IC的各个节点之间提供了一个或多个保护二极管。例如，可以在放大器输入晶体管的漏极和栅极之间和/或漏极和接地之间等提供保护二极管。在某些示例性实施例中，放大器可以是共源共栅放大器。描述了用于有效地处理ESD现象的另外的方面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 静电 放电 保护 | ||
【主权项】：
1.一种用于静电放电保护的装置，包括：放大器，包括输入晶体管；二极管，将所述输入晶体管的栅极耦合到所述输入晶体管的漏极；与所述二极管串联耦合的电阻器；以及耦合到所述输入晶体管的所述漏极的共源共栅晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
