[发明专利]用于集成电路的静电放电保护

权利要求书

1.一种用于静电放电保护的装置，包括：

放大器，包括输入晶体管；

二极管，将所述输入晶体管的栅极耦合到所述输入晶体管的漏极；

与所述二极管串联耦合的电阻器；以及

耦合到所述输入晶体管的所述漏极的共源共栅晶体管。

2.根据权利要求1所述的装置，所述二极管被配置成当栅极到漏极电压为正时被正向偏置。

3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括第一集成电路焊盘和第二集成电路焊盘，其中所述第一集成电路焊盘被耦合到所述输入晶体管的所述栅极，并且所述第二集成电路焊盘被耦合到所述输入晶体管的源极。

4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括将所述输入晶体管的所述漏极耦合到接地端子的两个二极管。

5.根据权利要求1所述的装置，所述二极管被配置成当所述漏极到栅极电压为正时被正向偏置。

6.根据权利要求5所述的装置，进一步包括第二二极管，所述第二二极管被配置成当所述栅极到漏极电压为正时被正向偏置。

7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括与所述二极管串联耦合的第二二极管。

8.根据权利要求2所述的装置，进一步包括将所述漏极耦合到所述栅极的第二二极管，所述第二二极管被配置成当所述漏极到栅极电压为正时被正向偏置。

9.一种用于静电放电保护的装置，包括：

集成电路，包括用于放大输入信号的部件和耦合到所述用于放大输入信号的部件的漏极的共源共栅晶体管；以及

用于改善所述集成电路的充电器件模型(CDM)性能的部件，包括将所述用于放大输入信号的部件的栅极耦合到所述漏极的二极管以及与所述二极管串联耦合的电阻器。

10.根据权利要求9所述的装置，用于改善CDM性能的所述部件包括用于改善正CDM性能的部件。

11.根据权利要求10所述的装置，用于改善正CDM性能的所述部件包括将用于放大的所述部件的栅极耦合到用于放大的所述部件的漏极的二极管。

12.根据权利要求9所述的装置，用于改善CDM性能的所述部件包括用于改善负CDM性能的部件。

13.根据权利要求9所述的装置，用于改善负CDM性能的所述部件包括将用于放大的所述部件的漏极耦合到接地端子的至少一个二极管。

14.一种用于静电放电保护的方法，包括：

使用共源共栅放大器来放大输入信号，所述共源共栅放大器包括具有栅极和漏极的输入晶体管以及耦合到所述输入晶体管的所述漏极的共源共栅晶体管；

使用二极管将所述输入信号耦合到所述输入晶体管的所述漏极；以及

将电阻器与所述二极管串联耦合。

15.根据权利要求14所述的方法，所述二极管被配置成当栅极到漏极电压为正时被正向偏置。

16.根据权利要求14所述的方法，所述二极管被配置成当漏极到栅极电压为正时被正向偏置。

17.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

将所述输入晶体管的所述漏极耦合到接地端子。

18.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：

使用第二二极管将所述输入晶体管的源极耦合到所述输入信号。