[发明专利]贴合晶圆的制造方法有效
| 申请号: | 201480049853.2 | 申请日: | 2014-08-22 | 
| 公开(公告)号: | CN105531821B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 | 
| 发明(设计)人: | 横川功;阿贺浩司;藤沢宏 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 | 
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/304 | 
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 谢顺星,张晶 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | 本发明是一种贴合晶圆的制造方法,其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序;所述贴合晶圆的制造方法的特征在于,实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段,并且,在将要实施薄膜的减厚加工的工序前,具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序,所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段,并且,在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下,实施清洗。由此,能够提供一种贴合晶圆的制造方法,该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆,该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。 | ||
| 搜索关键词: | 贴合 制造 方法 | ||
【主权项】:
                一种贴合晶圆的制造方法,该制造方法具有下述工序:将氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子离子注入接合晶圆的表面来形成离子注入层的工序;将所述接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接或隔着绝缘膜贴合的工序;以所述离子注入层作为剥离面,将所述接合晶圆的一部分剥离来制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序;实施所述薄膜的减厚加工的工序;其中,所述贴合晶圆的制造方法的特征在于,实施所述薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施所述薄膜的减厚加工的阶段;在将要通过牺牲氧化处理或气相蚀刻实施所述薄膜的减厚加工的工序前,具有清洗所述贴合晶圆的第一清洗工序,该贴合晶圆的所述剥离面露出于表面;所述第一清洗工序包含将所述贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段;在该湿式清洗的全部的清洗槽,均在不施加超声波的情况下来实施清洗;所述第一清洗工序使用检测65nm以上的微粒并加以管理的清洗线来实施。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
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