[发明专利]贴合晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种贴合晶圆的制造方法，该制造方法具有下述工序：将氢离子、稀有气体离子中的至少一种气体离子离子注入接合晶圆的表面来形成离子注入层的工序；将所述接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接或隔着绝缘膜贴合的工序；以所述离子注入层作为剥离面，将所述接合晶圆的一部分剥离来制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序；实施所述薄膜的减厚加工的工序；其中，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，

实施所述薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施所述薄膜的减厚加工的阶段；

在将要通过牺牲氧化处理或气相蚀刻实施所述薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗所述贴合晶圆的第一清洗工序，该贴合晶圆的所述剥离面露出于表面；

所述第一清洗工序包含将所述贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段；

在该湿式清洗的全部的清洗槽，均在不施加超声波的情况下来实施清洗；

所述第一清洗工序使用检测65nm以上的微粒并加以管理的清洗线来实施。

2.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法，其特征在于，在所述第一清洗工序前，具有第二清洗工序，该第二清洗工序实施施加超声波的湿式清洗。

3.根据权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法，其特征在于，在所述第一清洗工序前，具有第三清洗工序，该第三清洗工序利用物理性作用来实施清洗。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合晶圆的制造方法，其特征在于，使用单晶硅晶圆来作为所述接合晶圆及所述基底晶圆，使用硅氧化膜来作为所述绝缘膜，且将所述薄膜作成SOI层。