[发明专利]宽带偏置电路和方法有效

专利信息
申请号: 201480049100.1 申请日: 2014-09-11
公开(公告)号: CN105765858B 公开(公告)日: 2019-04-02
发明(设计)人: J·卡巴尼拉斯;C·D·普雷斯蒂 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/22;H03F3/193;H03F1/48
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开包括用于宽带偏置的电路和方法。在一个实施例中,放大器包括在放大器的输入端和输出端之间的共源共栅晶体管(311)。共源共栅晶体管(311)从偏置电路接收偏置,偏置电路包括在电源(VDD ET)和第一节点之间的电阻器(301)、在第一节点和参考电压之间的电阻器(302)、以及在电源(VDD ET)和第一节点之间的电容器(303)。电源(VDD ET)可以是经调制的电源,其通过偏置电路耦合至在共源共栅晶体管(311)的控制端子处的电容(303)。电感器(310)配置在共源共栅晶体管(311)的端子和电源(VDD ET)之间。电感器(310)可以将输出与经调制的电源信号(VDD ET)隔离。
搜索关键词: 宽带 偏置 电路 方法
【主权项】:
1.一种放大器电路,包括:第一晶体管,具有控制端子、第一端子和第二端子,所述第一晶体管的所述控制端子被配置用于接收输入信号;第一共源共栅晶体管,具有控制端子、第一端子和第二端子,其中所述第一共源共栅晶体管的所述第二端子耦合至第二共源共栅晶体管的第一端子;电感器,具有耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述第一端子的第一端子、以及耦合至经调制的电源端子的第二端子;第一电阻器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至第一节点的第二端子;第二电阻器,具有耦合至所述第一节点的第一端子以及耦合至参考电压的第二端子;第一电容器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至所述第一节点的第二端子;所述第二共源共栅晶体管,具有控制端子和第二端子,其中所述第二共源共栅晶体管的所述第二端子耦合至所述第一晶体管的所述第一端子;第三电阻器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至第二节点的第二端子;第四电阻器,具有耦合至所述第二节点的第一端子以及耦合至所述参考电压的第二端子;以及第二电容器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至所述第二节点的第二端子,其中所述第一节点耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子,其中所述第二节点耦合至所述第二共源共栅晶体管的所述控制端子,以及其中所述经调制的电源端子产生对应于所述输入信号的随时间变化的电源信号。
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