[发明专利]宽带偏置电路和方法有效
申请号: | 201480049100.1 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105765858B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | J·卡巴尼拉斯;C·D·普雷斯蒂 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/22;H03F3/193;H03F1/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宽带 偏置 电路 方法 | ||
1.一种放大器电路,包括:
第一晶体管,具有控制端子、第一端子和第二端子,所述第一晶体管的所述控制端子被配置用于接收输入信号;
第一共源共栅晶体管,具有控制端子、第一端子和第二端子,其中所述第一共源共栅晶体管的所述第二端子耦合至第二共源共栅晶体管的第一端子;
电感器,具有耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述第一端子的第一端子、以及耦合至经调制的电源端子的第二端子;
第一电阻器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至第一节点的第二端子;
第二电阻器,具有耦合至所述第一节点的第一端子以及耦合至参考电压的第二端子;
第一电容器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至所述第一节点的第二端子;
所述第二共源共栅晶体管,具有控制端子和第二端子,其中所述第二共源共栅晶体管的所述第二端子耦合至所述第一晶体管的所述第一端子;
第三电阻器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至第二节点的第二端子;
第四电阻器,具有耦合至所述第二节点的第一端子以及耦合至所述参考电压的第二端子;以及
第二电容器,具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至所述第二节点的第二端子,
其中所述第一节点耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子,其中所述第二节点耦合至所述第二共源共栅晶体管的所述控制端子,以及其中所述经调制的电源端子产生对应于所述输入信号的随时间变化的电源信号。
2.根据权利要求1所述的电路,其中,所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子耦合至电容。
3.根据权利要求2所述的电路,其中,所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述第一电容器被配置用于将所述随时间变化的电源信号在大于所述输入信号的第二频率范围的第一频率范围中耦合至共源共栅器件的所述控制端子。
4.根据权利要求1所述的电路,其中,所述第一电阻器的电阻与所述第一电容器的电容的第一乘积等于所述第二电阻器的电阻与在所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子处的电容的第二乘积。
5.根据权利要求1所述的电路,其中,所述电感器将所述第一共源共栅晶体管的所述第一端子与所述电感器的所述第二端子上的所述随时间变化的电源信号隔离。
6.根据权利要求1所述的电路,其中,所述输入信号的带宽小于所述随时间变化的电源信号的带宽。
7.根据权利要求1所述的电路,其中,所述第一电阻器、所述第二电阻器和所述第一电容器中的至少一个是可编程的。
8.一种放大信号的方法,包括:
在第一晶体管的控制端子上接收输入信号,所述第一晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子;
通过所述第一晶体管和第一共源共栅晶体管耦合所述输入信号以在所述第一共源共栅晶体管的第一端子上产生输出信号,所述第一共源共栅晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子,其中所述第一共源共栅晶体管的所述第二端子耦合至所述第一晶体管的所述第一端子;
在第一偏置电路的端子上从经调制的电源接收随时间变化的电源电压,所述第一偏置电路包括第一电阻器、第二电阻器和第一电容器,所述第一电阻器具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至第一节点的第二端子,所述第二电阻器具有耦合至所述第一节点的第一端子以及耦合至参考电压的第二端子,所述第一电容器具有耦合至所述经调制的电源端子的第一端子以及耦合至所述第一节点的第二端子,其中所述第一节点耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子;
将所述随时间变化的电源电压通过所述第一偏置电路耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子;以及
在具有耦合至所述第一共源共栅晶体管的所述第一端子的第一端子和耦合至所述经调制的电源端子的第二端子的电感器中产生阻抗,以将所述第一共源共栅晶体管的所述第一端子与所述随时间变化的电源电压隔离。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一共源共栅晶体管的所述控制端子耦合至电容。
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