[发明专利]宽带偏置电路和方法

说明书

本公开包括用于宽带偏置的电路和方法。在一个实施例中，放大器包括在放大器的输入端和输出端之间的共源共栅晶体管(311)。共源共栅晶体管(311)从偏置电路接收偏置，偏置电路包括在电源(VDD ET)和第一节点之间的电阻器(301)、在第一节点和参考电压之间的电阻器(302)、以及在电源(VDD ET)和第一节点之间的电容器(303)。电源(VDD ET)可以是经调制的电源，其通过偏置电路耦合至在共源共栅晶体管(311)的控制端子处的电容(303)。电感器(310)配置在共源共栅晶体管(311)的端子和电源(VDD ET)之间。电感器(310)可以将输出与经调制的电源信号(VDD ET)隔离。

相关申请的交叉引用

本公开要求享有2014年2月4日提交的美国申请No.14/172,150的优先权，该申请的内容在此为了所有目的通过引用的方式整体并入本文。本公开要求享有2013年9月11日提交的美国临时申请No.61/876,347的优先权，该申请的内容在此为了所有目的通过引用的方式整体并入本文。

技术领域

本公开涉及电子电路和方法，并且更特别地涉及宽带偏置电路和方法。

背景技术

有时候耦合堆叠CMOS晶体管，以便于为了可靠性目的而分割跨多个装置摆动的电压。图1示出了典型的放大器级。输入信号施加至底部MOS器件101的栅极(例如处于共源极(CS)配置)。通常使用在电源和接地之间的电阻性元件(例如包括电阻器103和104的电阻器梯)而偏置顶部共源共栅(cascode)器件102(处于共栅极(CG)配置)。共源共栅器件具有保持偏置电压的栅极电容器105。如果电源电压保持恒定(或近似恒定)值，则用于使用电阻性元件偏置来自电源电压的电路中节点的传统方案是令人满意的。然而，在其中电源电压改变的应用中，电阻和电容可以影响电路的工作。

发明内容

本公开包括用于宽带偏置电路的电路和方法。在一个示例性实施例中，放大器包括在放大器的输入端和输出端之间的共源共栅晶体管。共源共栅晶体管从偏置电路接收偏置，偏置电路包括在电源和第一节点之间的电阻器、在第一节点和参考电压(例如接地)之间的电阻器、以及在电源和第一节点之间的电容器。电源可以是经调制的的电源，其通过偏置电路耦合至在共源共栅晶体管的控制端子处的电容器。电感器被配置在共源共栅晶体管的端子与电源之间。电感器可以将输出从经调制的的电源信号隔离。

在一个实施例中，本公开包括放大器电路，包括第一晶体管，具有控制端子、第一端子和第二端子，控制端子配置用于接收输入信号；共源共栅晶体管，具有控制端子、第一端子和第二端子，其中共源共栅晶体管的第二端子耦合至第一晶体管的第一端子；电感器，具有耦合至共源共栅晶体管的第一端子的第一端子、以及耦合至经调制的电源端子的第二端子；第一电阻器，具有耦合至经调制的电源端子的第一端子、以及耦合至第一节点的第二端子；第二电阻器，具有耦合至第一节点的第一端子、以及耦合至参考电压的第二端子；以及电容器，具有耦合至经调制的电源端子的第一端子、以及耦合至第一节点的第二端子，其中第一节点耦合至共源共栅晶体管的控制端子，以及其中经调制的电源端子产生对应于输入信号的、随时间变化的电源信号。

在一个实施例中，共源共栅晶体管的控制端子包括电容。

在一个实施例中，第一电阻器、第二电阻器和电容器配置用于将随时间变化的电源信号在大于输入信号的第二频率范围的第一频率范围中耦合至共源共栅器件的控制端子。

在一个实施例中，第一电阻器的电阻与电容器的电容的第一乘积近似等于第二电阻器的电阻与共源共栅晶体管的控制端子处电容的第二乘积。