[发明专利]半导体构造及形成导电触点的方法

摘要

一些实施例包含形成导电触点的方法。穿过绝缘材料形成到导电结构的开口。在所述开口的底部区域内形成导电插塞。形成间隔物以给所述开口的上部区域的横向外围加衬，且使所述插塞的上部表面的内部部分暴露。抵靠所述插塞的所述上部表面的所述内部部分形成导电材料。一些实施例包含具有在绝缘堆叠内且抵靠含铜材料的导电插塞的半导体构造。间隔物在所述插塞的上部表面的外部部分上方，且不直接在所述上部表面的内部部分上面。导电材料在所述插塞的所述上部表面的所述内部部分上方，且抵靠所述间隔物的内部横向表面。

主权项

1.一种半导体构造，其包括：堆叠，其在含铜材料上方，所述堆叠包括在绝缘铜势垒材料上方的第一绝缘材料；导电插塞，其在所述堆叠内且直接抵靠所述含铜材料；绝缘间隔物，其在所述堆叠内；所述绝缘间隔物是在所述导电插塞的上部表面的外部部分上方且直接抵靠所述外部部分且不直接在所述上部表面的内部部分上面；导电材料，其在所述导电插塞的所述上部表面的所述内部部分上方且直接抵靠所述内部部分；所述导电材料是直接抵靠所述间隔物的内部横向表面；且其中所述导电插塞包括直接抵靠所述含铜材料的氮化钛，且包括直接抵靠所述氮化钛的钨。