[发明专利]半导体构造及形成导电触点的方法

权利要求书

1.一种半导体构造，其包括：

堆叠，其在含铜材料上方，所述堆叠包括在绝缘铜势垒材料上方的第一绝缘材料；

导电插塞，其在所述堆叠内且直接抵靠所述含铜材料；

绝缘间隔物，其在所述堆叠内；所述绝缘间隔物是在所述导电插塞的上部表面的外部部分上方且直接抵靠所述外部部分且不直接在所述上部表面的内部部分上面；

导电材料，其在所述导电插塞的所述上部表面的所述内部部分上方且直接抵靠所述内部部分；所述导电材料是直接抵靠所述间隔物的内部横向表面；且

其中所述导电插塞包括直接抵靠所述含铜材料的氮化钛，且包括直接抵靠所述氮化钛的钨。

2.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述含铜材料是由含硅基底支撑。

3.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述绝缘间隔物包括二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述绝缘间隔物包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体构造，其中所述导电材料包括金属。

6.一种半导体构造，其包括：

堆叠，其在第一导电材料上方，所述堆叠包括在第一绝缘材料上方的第二绝缘材料；所述第一及第二绝缘材料在组成方面彼此不同；

导电插塞，其在所述堆叠内且在所述第一导电材料上，所述导电插塞具有直接抵靠所述第一及第二绝缘材料两者的横向侧壁；

绝缘间隔物，其在所述导电插塞的上部表面的外部部分上方且直接抵靠所述外部部分且不直接在所述上部表面的内部部分上面，所述绝缘间隔物具有直接抵靠所述堆叠的所述第二绝缘材料且不直接抵靠所述堆叠的所述第一绝缘材料的外部横向表面；

第二导电材料，其在所述导电插塞的所述上部表面的所述内部部分上方且直接抵靠所述内部部分；所述第二导电材料是直接抵靠所述间隔物的内部横向表面；

所述第二导电材料沿着所述堆叠的上部表面延伸且形成导电线的下部部分；及

第三导电材料，其直接在所述第二导电材料上方且沿着所述第二导电材料并形成所述导电线的上部部分，所述第二及第三导电材料在组成方面彼此不同。

7.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述第一导电材料为含铜材料，且其中所述堆叠的所述第一绝缘材料为铜势垒材料。

8.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述导电插塞包括仅单一导电材料。

9.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述导电插塞包括两种或两种以上导电材料。

10.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述导电插塞包括钨及钛中的一者或两者。

11.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述导电插塞包括金属氮化物、金属硅化物及金属碳化物中的一者或多者。

12.根据权利要求6所述的半导体构造，其中所述导电插塞包括经导电掺杂半导体材料。

13.一种形成导电触点的方法，其包括：

穿过绝缘材料形成到导电结构的开口；

在所述开口的底部区域内且直接抵靠所述导电结构形成导电插塞；

形成间隔物以给所述开口的上部区域的横向外围加衬；所述间隔物是在所述导电插塞的上部表面的外部部分上方且直接抵靠所述外部部分且使所述上部表面的内部部分暴露；

在所述开口的经加衬上部区域内且直接抵靠所述导电插塞的所述上部表面的所述内部部分形成导电材料；

形成跨越所述绝缘材料延伸且穿过所述开口内的所述导电材料与所述导电结构电耦合的导电线；且

其中所述导电插塞包括直接抵靠所述导电结构的铜的氮化钛，且包括直接抵靠所述氮化钛的钨。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电材料包括金属。