[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201480046486.0 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105474376B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李炳俊 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括：电极，所述电极包括多个具有相同长度的支柱；半导体元件，所述半导体元件被构造成从所述电极接收电能；基板，所述基板具有用于向所述半导体元件传送电能或信号的电极图案；以及导电粘合层，所述导电粘合层包括被构造成将所述支柱和所述电极图案彼此电连接的导电物质，并且包括包围所述导电物质的基体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：电极，所述电极包括多个支柱；半导体元件，所述半导体元件被构造成与所述电极电连接；基板，所述基板具有电极图案；以及导电粘合层，所述导电粘合层位于所述基板和所述电极之间，所述导电粘合层包括被构造成将所述支柱和所述电极图案彼此电连接的导电物质，并且包括包围所述导电物质的基体，其中，所述多个支柱按照行和列顺序地设置在所述电极的单个表面处，与所述电极一体地形成，并且被嵌入所述导电粘合层中，其中，所述电极图案从所述基板突起以便面对所述支柱，并且被嵌入所述导电粘合层中，其中，包括所述多个支柱的所述电极被形成为具有不同电极性的两个电极，所述具有不同电极性的两个电极被连接到所述半导体元件的两个电极，并且其中，所述电极图案被形成为具有不同电极性的两组电极图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
