[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201480046486.0 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN105474376B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李炳俊 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
电极，所述电极包括多个支柱；
半导体元件，所述半导体元件被构造成与所述电极电连接；
基板，所述基板具有电极图案；以及
导电粘合层，所述导电粘合层位于所述基板和所述电极之间，所述导电粘合层包括被构造成将所述支柱和所述电极图案彼此电连接的导电物质，并且包括包围所述导电物质的基体，
其中，所述多个支柱按照行和列顺序地设置在所述电极的单个表面处，与所述电极一体地形成，并且被嵌入所述导电粘合层中，
其中，所述电极图案从所述基板突起以便面对所述支柱，并且被嵌入所述导电粘合层中，
其中，包括所述多个支柱的所述电极被形成为具有不同电极性的两个电极，所述具有不同电极性的两个电极被连接到所述半导体元件的两个电极，并且
其中，所述电极图案被形成为具有不同电极性的两组电极图案。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电粘合层的厚度是所述支柱的高度和用于将所述支柱和所述电极图案彼此电连接的最小距离的总和。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电粘合层的宽度是在1cm至6cm的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电粘合层的所述基体被形成为包围所述多个支柱。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个支柱中的至少一个被形成为与所述导电物质相接触。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个支柱之间具有相同的距离。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，通过下面的公式获得所述导电粘合层的厚度：
[公式]
T＝(1–(Ea/Ra))*h
其中，‘T’表示所述导电粘合层的厚度，‘Ea’表示所述支柱沿水平方向的面积，‘Ra’表示所述导电粘合层沿水平方向的面积，并且‘h’表示所述支柱的高度。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个支柱中的每一个具有相同的体积。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体元件是用于发射光的发光二极管。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电极图案从所述基板突起，以形成比所述电极的所述支柱短的支柱。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述支柱的末端在不接触所述电极图案的情况下面对所述电极图案，并且，
其中，所述导电粘合层的所述导电物质被插置在所述支柱的所述末端和所述电极图案之间。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，由所述导电物质彼此电连接的所述电极图案和所述支柱被设置为彼此面对。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
