[发明专利]层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480041700.3 申请日: 2014-07-31
公开(公告)号: CN105408974B 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 土井章孝;山口晋一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01G4/232 分类号: H01G4/232;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 李逸雪
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种具有足够的高温负荷寿命的层叠陶瓷电容器以及能够可靠地制造该层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电容器的制造方法。将内部电极(3、4)设为Sn固溶于Ni的结构,并且将内部电极的从与陶瓷电介质层对置的表面起2nm深度的区域处的Sn/(Ni+Sn)比(原子数比)的偏差的CV值设为32%以下。作为内部电极形成用的导电性糊膏,使用包含Ni粉末、和通过BET法而求出的比表面积为10m2/g以上的被表示为SnO或者SnO2的氧化锡粉末的导电性糊膏。此外,作为导电性糊膏,使用包含Ni‑Sn合金粉末的导电性糊膏。或者,使用包含Ni‑Sn合金粉末、和比表面积为10m2/g以上的、被表示为SnO或者SnO2的氧化锡粉末的导电性糊膏。
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电容器 以及 制造 方法
【主权项】:
一种层叠陶瓷电容器,具备:层叠有多个陶瓷电介质层的陶瓷层叠体;在所述陶瓷层叠体的内部,被配设为隔着所述陶瓷电介质层相互对置的多个内部电极;和在所述陶瓷层叠体的外表面被配设为与所述内部电极导通的外部电极,所述层叠陶瓷电容器的特征在于,在所述内部电极中,Sn固溶于Ni,并且在将所述内部电极的从与所述陶瓷电介质层对置的表面起2nm深度的区域处的Sn的含有量相对于Sn与Ni的合计含有量之比设为Sn/(Ni+Sn)比的情况下,以[{Sn/(Ni+Sn)比的标准偏差}/{Sn/(Ni+Sn)比的平均值}]×100来表示的Sn/(Ni+Sn)比的CV值是32%以下,其中Sn的含有量相对于Sn与Ni的合计含有量之比为原子数比。
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