[发明专利]中孔硅合成以及在锂离子蓄电池和太阳能氢电池中的应用在审
| 申请号： | 201480038835.4 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105377757A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王东海;戴放;衣冉;宰建陶 | 申请（专利权）人： | 宾夕法尼亚州研究基金会 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033;C25B11/04;C25B1/02;H01J19/32;H01M4/134;C01B3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 我们提供了通过无模板和无HF的方法制备的中孔硅材料(PSi)。生产工艺是容易的和可扩展的，且它可以在温和反应条件下进行。可以直接通过用碱合金(例如NaK合金)还原硅卤化物前体(例如SiCl4)的产生硅。随后，退火所产生的Si盐基体用于孔隙形成和微晶生长。通过用水去除盐副产物获得最终产物。 | ||
| 搜索关键词： | 中孔硅 合成 以及 锂离子 蓄电池 太阳能 电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种用于生产多孔晶态硅的方法，包括：用至少一种碱金属和碱金属合金还原硅‑卤化物前体以产生硅‑盐基体；退火所述硅‑盐基体，由此在多孔硅结构中形成多个盐晶体；和用水清洗多孔硅结构，由此提供多孔晶态硅。
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