[发明专利]延迟电路、振荡电路及半导体装置有效
| 申请号： | 201480037084.4 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105340179B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 二瓶洋太朗;横山朋之 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/04 | 分类号： | H03K5/04;H03K3/03 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李啸,姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能够正确设定自输入端子VIN的电压变化到输出端子VOUT的电压变化为止的延迟时间的延迟电路。延迟电路在由耗尽型NMOS晶体管和在其栅极及背栅极与源极之间设置的电阻构成的恒流电路与电容之间，具备栅极和背栅极与接地端子连接的耗尽型NMOS晶体管而构成。 | ||
| 搜索关键词： | 延迟 电路 振荡 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种延迟电路，其特征在于，具备：第一NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，栅极被输入输入信号；电容，连接在所述第一NMOS晶体管的漏极与接地端子之间；恒流电路；第一反相器，其输入与所述恒流电路的输出端子连接；第二反相器，其输入与所述第一反相器的输出端子连接；第一耗尽型NMOS晶体管，其栅极和背栅极与接地端子连接，源极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；第二NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接，栅极被输入所述输入信号；第三NMOS晶体管，其栅极与所述第一反相器的输出端子连接，源极及背栅极与所述第一耗尽型NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接；以及第四NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，栅极与所述第二反相器的输出端子连接，漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，所述恒流电路具备：第二耗尽型NMOS晶体管；以及电阻，一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的栅极及背栅极连接、另一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的源极连接。
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