[发明专利]延迟电路、振荡电路及半导体装置

权利要求书

1.一种延迟电路，其特征在于，具备：

第一NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，栅极被输入输入信号；

电容，连接在所述第一NMOS晶体管的漏极与接地端子之间；

恒流电路；

第一反相器，其输入与所述恒流电路的输出端子连接；

第二反相器，其输入与所述第一反相器的输出端子连接；

第一耗尽型NMOS晶体管，其栅极和背栅极与接地端子连接，源极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接；

第二NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接，栅极被输入所述输入信号；

第三NMOS晶体管，其栅极与所述第一反相器的输出端子连接，源极及背栅极与所述第一耗尽型NMOS晶体管的漏极连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接；以及

第四NMOS晶体管，其源极与接地端子连接，栅极与所述第二反相器的输出端子连接，漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，

所述恒流电路具备：第二耗尽型NMOS晶体管；以及电阻，一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的栅极及背栅极连接、另一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的源极连接。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

权利要求1所述的延迟电路；以及

通过所述延迟电路输出的信号来控制的电路。

3.一种延迟电路，具备输入端子、第一输出端子和第二输出端子，其特征在于，

所述延迟电路具备：

恒流电路，其输入端子与电源端子连接，输出端子与所述第一输出端子连接；

第一耗尽型NMOS晶体管，其栅极和背栅极与接地端子连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接；

电容，在所述第一耗尽型NMOS晶体管的源极及所述第二输出端子与接地端子之间连接；

第一NMOS晶体管，其栅极与所述输入端子连接，漏极与所述恒流电路的输出端子连接；以及

第二NMOS晶体管，其栅极与所述输入端子连接，漏极与所述第一NMOS晶体管的源极连接，源极与接地端子连接，

所述恒流电路具备：

第二耗尽型NMOS晶体管；以及

电阻，一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的栅极及背栅极连接、另一端与所述第二耗尽型NMOS晶体管的源极连接。

4.一种振荡电路，具备：

权利要求3所述的延迟电路；以及

逻辑电路，接受从所述延迟电路的第一输出端子和第二输出端子输出的输出信号，向所述延迟电路的输入端子输出控制所述延迟电路的信号。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备权利要求4所述的振荡电路。