[发明专利]光电子半导体组件有效
申请号: | 201480036553.0 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN105340093B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 弗兰克·辛格;沃尔夫冈·门希;亚历山大·林科夫 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;F21V8/00;G02B5/02;H01L33/54 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,李德山 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在至少一个实施方式中,光电子半导体组件(1)包括灌封体(4)。至少一个光电子半导体芯片(3)设立用于产生辐射并且位于灌封体(4)的凹部(43)中。半导体芯片(3)具有带有边长(L)的辐射主侧(30)。覆盖凹部(43)的至少一个光学板(5)沿着主放射方向(M)设置在半导体芯片(1)的下游。光学板(5)在背离半导体芯片(1)的上侧(50)上具有多个结构元件(55)。光学板(5)具有至少为边长(L)的1.5倍的直径(D)。光学板(5)的厚度(H)至少为直径(D)的0.1倍并且至多为1.5倍。光学板(5)完全地遮盖辐射主侧(30)。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体 组件 | ||
【主权项】:
一种光电子半导体组件(1),具有:‑灌封体(4),所述灌封体具有至少一个凹部(43),‑用于产生辐射的至少一个光电子半导体芯片(3),所述光电子半导体芯片位于所述凹部(43)中,并且所述光电子半导体芯片具有带有边长(L)的辐射主侧(30),‑至少一个光学板(5),所述光学板覆盖所述凹部(43),并且所述光学板沿着主放射方向(M)设置在所述半导体芯片(3)下游,和‑转换元件(6),所述转换元件设立用于将所述半导体芯片(3)在运行时产生的辐射的一部分转换成另一波长的辐射,其中‑所述光学板(5)在背离所述半导体芯片(3)的上侧(50)上具有多个结构元件(55),‑所述光学板(5)具有直径(D),所述直径至少为所述半导体芯片(3)的边长(L)的1.5倍,‑所述光学板(5)具有厚度(H),所述厚度至少为所述直径(D)的0.1倍并且至多为1.5倍,‑在俯视图中观察,所述光学板(5)完全地遮盖所述辐射主侧(30),‑所述光学板(5)具有第一结构元件(55a)和第二结构元件(55b),‑所述第一结构元件(55a)对于由所述半导体芯片(3)发射的辐射起反射作用,并且所述第二结构元件(55b)对于由所述半导体芯片发射的辐射起散射作用,‑所述第一结构元件(55a)安置在所述上侧(50)的中央区域(C)中,并且在俯视图中观察,所述中央区域(C)完全地遮盖所述辐射主侧(30),‑所述第二结构元件(55b)安置在所述上侧(50)的边缘区域(E)中,并且在俯视图中观察,所述边缘区域(E)环形地围绕所述中央区域(C),‑所述光学板(5)为具有在中部中成平行面的主侧的板,‑所述转换元件(6)直接位于所述半导体芯片(3)和所述光学板(5)之间,并且所述转换元件(6)在平行于所述辐射主侧(30)的方向上邻接于所述灌封体(4),并且‑所述中央区域(C)中的对于在所述半导体组件(1)中产生的辐射的透射能力至少为20%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480036553.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光材料、延迟萤光体、有机发光元件及化合物
- 下一篇:太阳能电池