[发明专利]光电子半导体组件

权利要求书

1.一种光电子半导体组件(1)，具有：

-灌封体(4)，所述灌封体具有至少一个凹部(43)，

-用于产生辐射的至少一个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片位于所述凹部(43)中，并且所述光电子半导体芯片具有带有边长(L)的辐射主侧(30)，

-至少一个光学板(5)，所述光学板覆盖所述凹部(43)，并且所述光学板沿着主放射方向(M)设置在所述半导体芯片(3)下游，和

-转换元件(6)，所述转换元件设立用于将所述半导体芯片(3)在运行时产生的辐射的一部分转换成另一波长的辐射，

其中

-所述光学板(5)在背离所述半导体芯片(3)的上侧(50)上具有多个结构元件(55)，

-所述光学板(5)具有直径(D)，所述直径至少为所述半导体芯片(3)的边长(L)的1.5倍，

-所述光学板(5)具有厚度(H)，所述厚度至少为所述直径(D)的0.1倍并且至多为1.5倍，

-在俯视图中观察，所述光学板(5)完全地遮盖所述辐射主侧(30)，

-所述光学板(5)具有第一结构元件(55a)和第二结构元件(55b)，

-所述第一结构元件(55a)对于由所述半导体芯片(3)发射的辐射起反射作用，并且所述第二结构元件(55b)对于由所述半导体芯片发射的辐射起散射作用，

-所述第一结构元件(55a)安置在所述上侧(50)的中央区域(C)中，并且在俯视图中观察，所述中央区域(C)完全地遮盖所述辐射主侧(30)，

-所述第二结构元件(55b)安置在所述上侧(50)的边缘区域(E)中，并且在俯视图中观察，所述边缘区域(E)环形地围绕所述中央区域(C)，

-所述光学板(5)为具有在中部中成平行面的主侧的板，

-所述转换元件(6)直接位于所述半导体芯片(3)和所述光学板(5)之间，并且所述转换元件(6)在平行于所述辐射主侧(30)的方向上邻接于所述灌封体(4)，并且

-所述中央区域(C)中的对于在所述半导体组件(1)中产生的辐射的透射能力至少为20％。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)，

其中放射特性在角度>50°的情况下具有光强分布中的强度最大值。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)，

其中转换元件(6)以分别直接邻接的方式位于在所述半导体芯片(3)和所述光学板(5)之间，所述转换元件设立用于将所述半导体芯片(3)在运行时产生的辐射的一部分转换成另一波长的辐射，

其中所述灌封体(4)沿着所述半导体芯片(3)的主放射方向(M)与所述转换元件(6)的背离所述半导体芯片(3)的上侧齐平。

4.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)，

其中所述第一结构元件(55a)是起反射作用的颗粒，所述颗粒嵌入到基体材料中并且在所述中央区域(C)中均匀地分布在所述基体材料中，并且

其中所述第二结构元件(55b)通过所述上侧(50)中的孔或通过所述上侧上的隆起部形成。

5.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)，

其中所述光学板(5)在所述中央区域(C)中对于在所述半导体组件(1)中产生的辐射具有在50％和75％之间的平均反射率，其中包括边界值。

6.根据权利要求1所述的光电子半导体组件(1)，

其中所述半导体芯片(3)在所述凹部(43)中形状配合地贴靠在所述灌封体(4)上，使得所述半导体芯片(3)的芯片侧面(35)整面地并且直接地邻接于所述灌封体(4)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子半导体组件(1)，

其中在俯视图中观察，所述光学板(5)安置在所述半导体芯片(3)旁并且以环形地围绕所述半导体芯片(3)的方式直接地安置在所述灌封体(4)上。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的光电子半导体组件(1)，

其中在俯视图中观察，所述光学板(5)是圆形板，并且所述半导体芯片(3)的和所述光学板(5)的垂直于所述辐射主侧(30)伸展的对称轴线(S)一致地伸展。