[发明专利]用于等离子体反应器的增强等离子体源有效
申请号: | 201480034383.2 | 申请日: | 2014-05-15 |
公开(公告)号: | CN105340059B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | V·N·托多罗;G·勒雷;M·D·威尔沃斯;L-S·蒋 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例,该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制,并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统,以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中,配置成用于半导体处理装置的电极组件包括:RF导电连接器;以及导电构件,该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端,其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 反应器 增强 | ||
【主权项】:
1.一种配置成用于半导体处理装置中的电极组件,包括:RF导电连接器,具有第一端,所述第一端包括配置成耦接至线圈天线组件的线圈夹具;以及导电构件,所述导电构件具有电连接至所述RF导电连接器的第二端的第一端,其中所述导电构件具有从所述RF导电连接器向外并垂直地延伸的第二端,当所述线圈天线组件被激励时所述导电构件的第二端具有与所述RF导电连接器的第一端相同的电势。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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