[发明专利]用于等离子体反应器的增强等离子体源

说明书

提供一种具有改良的线圈天线组件的装置的实施例，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室中的增强的等离子体。该改良的线圈天线组件增强对等离子体处理腔室内的等离子体位置的位置控制，并且可被用于蚀刻、沉积、植入、与热处理系统，以及期望控制等离子体位置的其它应用。在一个实施例中，配置成用于半导体处理装置的电极组件包括：RF导电连接器；以及导电构件，该导电构件具有电连接至该RF导电连接器的第一端，其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。

背景

技术领域

实施例一般涉及半导体基板处理系统的装置。更具体地，实施例涉及用于等离子体处理系统的增强等离子体生成组件。

背景技术

在集成电路的制造中，需要精确控制各种工艺参数以用于实现基板内的一致的结果，以及从基板至基板是可再现的结果。由于用于形成半导体器件的结构的几何限制推挤技术限制，因而更严格的公差和精确的工艺控制对制造成功来说很关键。然而，随着几何尺寸收缩，精确的临界尺寸与蚀刻工艺控制已变得日益困难。

许多半导体器件是在等离子体存在的情况下进行处理的。可在利用电容耦合功率来激励形成等离子体的气体的处理腔室中容易地点燃等离子体。然而，其他类型的处理腔室中的等离子体点燃可能并非那么容易启动，而经常需要尖峰功率来点燃腔室内的气体。不幸的是，这样的功率尖峰经常造成腔室部件的电弧放电与溅射，这减少腔室部件的使用寿命且不受期望地在处理腔室内生成颗粒，这不受期望地贡献于缺陷率。

因此，需要用于改善处理腔室内的等离子体点火的装置与方法。

发明内容

实施例一般提供一种改良的线圈天线组件，该改良的线圈天线组件可提供处理腔室内的增强的等离子体点火。该改良的线圈天线组件增强等离子体点火而基本上没有功率增加或腔室部件的溅射，并且该改良的线圈天线组件可被用于蚀刻、沉积、植入(implant)、与热处理系统，以及期望具有减少的腔室部件溅射的等离子体生成的其它应用。

在一个实施例中，提供一种线圈天线组件，该线圈天线组件增强处理腔室内的等离子体点火，该处理腔室具有一盖，该线圈天线组件被设置在该盖上。该线圈天线组件包括线圈，该线圈具有电极组件，该电极组件电连接至该线圈的第一端附近。该电极组件从该线圈的第一端朝向该线圈的第二端延伸。在操作中，该电极组件取得该线圈的第一端的电压，并将较高的电压提供在该处理腔室的盖附近。

在一个实施例中，配置成用于半导体处理装置中的电极组件包括RF导电连接器与导电构件，该导电构件具有第一端，该第一端电连接至该RF导电连接器，其中该导电构件从该RF导电连接器向外并垂直地延伸。

在另一实施例中，等离子体处理腔室包括：腔室主体；盖，封围该腔室主体的内部空间；基板支撑件，设置在该内部空间中；线圈天线组件，定位成毗邻该盖，以用于将RF功率耦接至该腔室主体；以及电极组件，电连接至该线圈天线组件。

在又一实施例中，等离子体处理腔室包括：腔室主体；盖，封围该腔室主体的内部空间；基板支撑件，设置在该内部空间中；线圈天线组件，具有数个绕组，该数个绕组被定位成毗邻该盖，以用于将RF功率耦接至该腔室主体；以及电极组件，电连接至设置在该线圈天线组件中的每一个绕组。

附图说明

为了可详细理解所提供的实施例的上述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的实施例进行更加具体的描述，在附图中示出这些实施例中的一些。然而，要注意这些附图仅示出本文中所述的典型实施例，并因此不被视为限制本发明的范围，因为本发明可容许其他等效实施例。

图1是根据一个实施例的包括改良的线圈天线组件的示例性半导体基板处理装置的示意图；

图2是图1的改良的线圈天线组件的一个实施例的俯视图；