[发明专利]用于等离子体反应器的增强等离子体源

权利要求书

1.一种配置成用于半导体处理装置中的电极组件，包括：

RF导电连接器，具有第一端，所述第一端包括配置成耦接至线圈天线组件的线圈夹具；以及

导电构件，所述导电构件具有电连接至所述RF导电连接器的第二端的第一端，其中所述导电构件具有从所述RF导电连接器向外并垂直地延伸的第二端，当所述线圈天线组件被激励时所述导电构件的第二端具有与所述RF导电连接器的第一端相同的电势。

2.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件的第二端延伸到所述半导体处理装置的盖中。

3.如权利要求1所述的电极组件，其中所述RF导电连接器被配置成电耦接至所述线圈天线组件的最上面的绕组。

4.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件被配置成从所述线圈天线组件的最上面的绕组至最下面的绕组电耦接至所述线圈天线组件中的每一个绕组。

5.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件被配置成通过锁定机构电耦接至所述线圈天线组件。

6.如权利要求1所述的电极组件，其中所述RF导电连接器或所述导电构件是由选自由不锈钢、铜、铝、镍、与前述材料的合金构成的组的材料制成。

7.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件是金属箔、金属导电片、金属板、或金属棒。

8.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件的第二端重叠设置在所述半导体处理装置的盖上的盖加热器。

9.如权利要求1所述的电极组件，其中所述导电构件是能够电传导电压的刚性或柔性金属结构。

10.一种等离子体处理腔室，包括：

腔室主体；

盖，封围所述腔室主体的内部空间；

基板支撑件，设置在所述内部空间中；

线圈天线组件，具有第一端和第二端，所述第二端定位成毗邻所述盖以用于将RF功率耦接至所述腔室主体，并且所述第一端定位成远离所述盖；以及

电极组件，具有线圈夹具，所述线圈夹具连接至所述线圈天线组件的第一端并且朝向所述线圈天线组件的第二端延伸，当所述线圈天线组件被激励时所述电极组件维持与所述线圈组件的第一端相同的电势。

11.如权利要求10所述的腔室，其中所述电极组件进一步包括：

RF导电连接器，具有包括线圈夹具的第一端，所述线圈夹具耦接至所述线圈天线组件；以及

导电构件，所述导电构件具有电连接至所述RF导电连接器的第二端的第一端，其中所述导电构件具有从所述RF导电连接器向外并垂直地延伸的第二端，当所述线圈天线组件被激励时所述导电构件的第二端具有与所述RF导电连接器的第一端相同的电势。

12.如权利要求11所述的腔室，其中所述导电构件是金属箔、金属导电片、金属板、或金属棒。

13.如权利要求10所述的腔室，其中所述电极组件被配置成电耦接至所述线圈天线组件中的每一个绕组。

14.如权利要求11所述的腔室，其中所述导电构件的第二端延伸到所述等离子体处理腔室的盖中。

15.如权利要求11所述的腔室，其中所述导电构件的第二端重叠设置在所述等离子体处理腔室的盖上的盖加热器。

16.如权利要求11所述的腔室，其中所述导电构件是能够电传导电压的刚性或柔性金属结构。