[发明专利]确定与临界尺寸相关的性质的方法、检查装置和器件制造方法有效
| 申请号： | 201480033591.0 | 申请日： | 2014-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105308508B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | H·克拉默;A·J·登博夫;H·梅根斯;M·范德沙;T-C·黄 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 确定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之类的与临界尺寸相关的性质的方法。使用光刻装置在光刻工艺中处理晶片，以在晶片上产生具有不同相应临界尺寸偏差的周期性目标。照射目标中的每个目标。测量由目标散射的辐射的强度。从图像中识别和提取每个光栅。确定差分信号。然后基于差分信号、CD偏差、以及差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识，确定诸如CD或曝光剂量之类的与CD相关的性质。使用所确定的与临界尺寸相关的性质，以在后续晶片的光刻处理中控制光刻装置。为了只使用两个CD偏差，校准步骤可以使用对“金晶片”(即参考晶片)的测量，以通过已知CD确定针对CD对中的每对的强度梯度。替代地，校准可以基于对强度梯度对CD的敏感性的仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 临界 尺寸 相关 性质 方法 检查 装置 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种确定通过光刻工艺产生的结构的与临界尺寸相关的性质的方法，所述方法包括以下步骤：(a)用辐射照射具有不同相应临界尺寸偏差的至少两个周期性目标中的每个周期性目标；(b)测量由所述至少两个目标散射的辐射的相应强度；(c)从测量的所述强度确定差分信号；(d)基于所述差分信号和所述至少两个临界尺寸偏差，并且基于所述差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识，确定所述与临界尺寸相关的性质。
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