[发明专利]确定与临界尺寸相关的性质的方法、检查装置和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201480033591.0 申请日: 2014-05-23
公开(公告)号: CN105308508B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: H·克拉默;A·J·登博夫;H·梅根斯;M·范德沙;T-C·黄 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 确定 临界 尺寸 相关 性质 方法 检查 装置 器件 制造
【权利要求书】:

1.一种确定通过光刻工艺产生的结构的与临界尺寸相关的性质的方法,所述方法包括以下步骤:

(a)用辐射照射具有不同相应临界尺寸偏差的至少两个周期性目标中的每个周期性目标;

(b)测量由所述至少两个目标散射的辐射的相应强度;

(c)从测量的所述强度确定差分信号;

(d)基于所述差分信号和所述至少两个临界尺寸偏差,并且基于所述差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识,确定所述与临界尺寸相关的性质。

2.根据权利要求1所述的方法,其中测量辐射的强度的所述步骤(b)包括测量散射辐射的至少一个非零阶的强度。

3.根据权利要求1所述的方法,其中照射的所述步骤(a)包括使用相对于所述周期性目标的周期性方向的照射辐射的至少两个不同偏振方向,测量辐射的强度的所述步骤(b)包括测量针对所述偏振方向中的每个偏振方向的零阶散射辐射的强度,并且从测量的所述强度确定差分信号的所述步骤(c)基于针对所述不同偏振方向测量的强度之差。

4.根据任一前述权利要求所述的方法,其中在步骤(a)中照射具有不同相应临界尺寸偏差的至少三个目标,在步骤(b)中测量至少三个相应强度,并且在步骤(d)中基于至少三个所述临界尺寸偏差来确定所述与临界尺寸相关的性质。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,进一步包括校准步骤,以通过利用已知临界尺寸从测量的由至少两个目标散射的辐射的相应强度确定差分信号,来确定所述差分信号对所述与临界尺寸相关的性质的响应。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,进一步包括校准步骤,以通过对所述差分信号对临界尺寸的敏感性的仿真,来确定所述差分信号对所述与临界尺寸相关的性质的响应。

7.一种用于确定通过光刻工艺产生的结构的与临界尺寸相关的性质的检查装置,所述检查装置包括:

照射系统,被配置为用辐射照射具有不同相应临界尺寸偏差的至少两个周期性目标中的每个周期性目标;

检测系统,被配置为测量由所述至少两个目标散射的辐射的相应强度;

处理器,被配置为从测量的所述强度确定差分信号,并且基于所述差分信号和所述至少两个临界尺寸偏差,并且基于所述差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识,确定所述与临界尺寸相关的性质。

8.根据权利要求7所述的检查装置,其中所述检测系统被配置为通过测量散射辐射的至少一个非零阶的强度来测量辐射的强度。

9.根据权利要求7所述的检查装置,其中所述照射系统被配置为使用相对于所述周期性目标的周期性方向的照射辐射的至少两个不同偏振方向,所述检测系统被配置为通过测量针对所述偏振方向中的每个偏振方向的零阶散射辐射的强度来测量辐射的强度,并且所述处理器被配置为基于针对所述不同偏振方向测量的强度之差从测量的所述强度确定差分信号。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的检查装置,其中所述照射系统被配置为照射具有不同相应临界尺寸偏差的至少三个目标,所述检测系统被配置为测量至少三个相应强度,并且所述处理器被配置为基于至少三个所述临界尺寸偏差来确定所述与临界尺寸相关的性质。

11.根据权利要求7至9中任一项所述的检查装置,其中所述处理器被配置为使用所述差分信号对所述与临界尺寸相关的性质的校准的响应来确定所述与临界尺寸相关的性质。

12.根据权利要求7至9中任一项所述的检查装置,其中所述处理器被配置为使用所述差分信号对所述与临界尺寸相关的性质的仿真的响应来确定所述与临界尺寸相关的性质。

13.一种制造器件的方法,其中使用光刻工艺将器件图案应用于一系列衬底,所述方法包括使用所述衬底中的至少一个衬底并且使用根据权利要求1至6中任一项所述的方法来确定通过所述光刻工艺产生的结构的与临界尺寸相关的性质,并且依照确定所述与临界尺寸相关的性质的方法的结果来控制针对随后衬底的所述光刻工艺。

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