[发明专利]半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 201480031243.X 申请日: 2014-05-14
公开(公告)号: CN105247695B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 宫地护;斋藤龙舞 申请(专利权)人: 斯坦雷电气株式会社
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;杨薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体发光元件具有:半导体层合物,其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层;多个过孔,其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层,所述多个过孔暴露n型半导体层;反光性p侧电极,其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离,p侧电极在p型半导体层上方延伸;绝缘层,其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面,所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸;多个反光性n侧电极,其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接,n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出,并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 器件
【主权项】:
1.一种半导体发光元件,该半导体发光元件包括:半导体层合物,其包含第一导电类型的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的发光层、以及设置在所述发光层上并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层;多个过孔,其从所述半导体层合物的第二半导体层侧穿透所述发光层以暴露所述第一半导体层;第二半导体侧电极,其在所述第二半导体层上延伸,在所述多个过孔的区域内分别具有开口,并且具有反光性;绝缘层,其暴露所述多个过孔中的每个的底部的至少部分,覆盖至少所述发光层和所述第二半导体层的所述过孔中的侧表面,延伸到所述第二半导体侧电极的过孔侧端部周缘部分上,相邻的过孔的中间部的所述第二半导体侧电极暴露;以及多个第一半导体侧电极,其在所述多个过孔中的每个的底部与所述第一半导体层电连接,隔着所述绝缘层,也延伸到所述发光层、所述第二半导体层以及所述第二半导体侧电极的侧面上,被引导到所述第二半导体侧电极上方,被设置成其边缘部分与界定了所述第二半导体侧电极的所述开口的边缘部分重叠,终止于边缘部分上方,在平面图上没有间隙地与所述第二半导体侧电极重叠,并且具有反光性。
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