[发明专利]半导体发光元件

说明书

一种半导体发光元件具有：半导体层合物，其包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；多个过孔，其从所述半导体层合物的p型半导体层穿透发光层，所述多个过孔暴露n型半导体层；反光性p侧电极，其分别与p型半导体层和所述多个过孔的边缘隔离，p侧电极在p型半导体层上方延伸；绝缘层，其使所述多个过孔的底表面被暴露但是覆盖所述过孔的内侧面，所述绝缘层在第二半导体侧电极的边缘部分上方延伸；多个反光性n侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与n型半导体层电连接，n侧电极跨过绝缘层在p型半导体层和p侧电极上方引出，并且布置为在平面图上与p侧电极重叠而没有间隙。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件和半导体发光器件。术语“GaN系半导体”是指含有作为III族元素的Ga和作为V族元素的N的III-V族化合物半导体。例如，提到了Al_xGa_yIn_zN(0≤x<1，0<y≤1，0≤z<1且x+y+z＝1)。

背景技术

对于n型半导体层、有源层和p型半导体层堆叠而成的半导体发光元件，需要与n型半导体层和p型半导体层电连接的n侧电极和p侧电极与n型半导体层和p型半导体层电连接的n侧电极和p侧电极。例如，透明电极形成在p型半导体层的整个表面上。p侧电极形成在透明电极的部分上并且被绝缘层覆盖。在形成穿透p型半导体层和有源层并且到达n型半导体层的过孔并且在过孔处暴露的n型半导体层上形成n侧穿通电极的情况下，n侧电极和p侧电极可设置在p型半导体层侧的同一表面上。

例如，已经提出将过孔处暴露的第一导电类型层的直径指定为10μm至30μm，将穿通电极的中心与中心距离(节距)指定为75μm至125μm，将穿通电极的总接触面积指定为半导体面积的5％或更小，特别地，2％或更小(例如，参照特许文献1、2)。

现有技术文献

特许文献

特许文献1：特开2011-066304公报

特许文献2：特表2011-517064号公报

发明内容

已经开发出允许半导体发光器件输出的光直接进入透镜并且将光施加到对象区域的车辆前照灯。在这样使用时，期望例如10W或更大的高驱动功率下的100lm/W的高功率转换效率、均匀亮度分布和均匀颜色分布的特性。

本发明的目的是提供适于应用于车辆前照灯等并且表现出高功率转换效率、均匀亮度分布和均匀颜色分布的半导体发光元件和半导体发光器件。

根据实施方式的观点，提供了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：半导体层合物，其包含第一导电类型的第一半导体层、设置在上述第一半导体层上的发光层和设置在上述发光层上并且具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层；多个过孔，其从上述半导体层合物的上述第二半导体侧穿透上述发光层以暴露上述第一半导体层；第二半导体侧电极，其与上述第二半导体层和上述多个过孔的各边界边缘隔开，在上述第二半导体层上延伸，并且具有反光性；绝缘层，其暴露上述多个过孔中的每个的底部的至少部分，覆盖至少上述发光层和上述第二半导体层的上述过孔中的侧表面，延伸到上述第二半导体侧电极的周缘部分上；以及多个第一半导体侧电极，其在上述多个过孔中的每个的底部与上述第一半导体层电连接，在上述第二半导体层和上述第二半导体侧电极上方被引导使上述绝缘层在其间，被设置成在平面图上与上述第二半导体侧电极重叠而没有间隙，并且具有反光性。

可以以高驱动功率得到高功率转换效率。可使面内亮度分布和颜色分布均匀。

附图说明