[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：

半导体层合物，其包含第一导电类型的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的发光层、以及设置在所述发光层上并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体层；

多个过孔，其从所述半导体层合物的第二半导体层侧穿透所述发光层以暴露所述第一半导体层；

第二半导体侧电极，其在所述第二半导体层上延伸，在所述多个过孔的区域内分别具有开口，并且具有反光性；

绝缘层，其暴露所述多个过孔中的每个的底部的至少部分，覆盖至少所述发光层和所述第二半导体层的所述过孔中的侧表面，延伸到所述第二半导体侧电极的过孔侧端部周缘部分上，相邻的过孔的中间部的所述第二半导体侧电极暴露；以及

多个第一半导体侧电极，其在所述多个过孔中的每个的底部与所述第一半导体层电连接，隔着所述绝缘层，也延伸到所述发光层、所述第二半导体层以及所述第二半导体侧电极的侧面上，被引导到所述第二半导体侧电极上方，被设置成其边缘部分与界定了所述第二半导体侧电极的所述开口的边缘部分重叠，终止于边缘部分上方，在平面图上没有间隙地与所述第二半导体侧电极重叠，并且具有反光性。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述半导体层合物由GaN系半导体形成，所述第一导电类型是n型，所述第二导电类型是p型，并且在所述第二半导体层侧界定发光表面。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一半导体侧电极和所述第一半导体层之间的接触区域为圆形，所述多个第一半导体侧电极中的每个具有直径小于10μm的接触面积。

4.根据权利要求3所述的半导体发光元件，其中，所述多个第一半导体侧电极中的每个具有直径范围在6μm至9μm内的接触面积。

5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述多个第一半导体侧电极的总接触面积与所述半导体层的面积之间的接触面积比小于1％。

6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其中，所述多个第一半导体侧电极的总接触面积与所述半导体层的面积之间的接触面积比在0.35％至0.9％的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一半导体侧电极包括具有高可见光反射率的金属反射层和设置在所述反射层与所述第一半导体层之间的欧姆性增强电极层。

8.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其中，所述反射层由从由Ag、Pt、Ni、Al、Pd及其合金组成的组中选择的一种材料制成。

9.根据权利要求7所述的半导体发光元件，其中，所述欧姆性增强电极层是具有5nm或更小的膜厚度的Ti层。

10.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第二半导体侧电极包含Ag和Ag扩散抑制要素。

11.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述多个过孔和所述多个第一半导体侧电极中的至少关键部分被布置成方形矩阵，所述多个第一半导体侧电极覆盖这些过孔并且与周围的第二半导体侧电极部分重叠，所述半导体发光元件具有由所述第一半导体侧电极中的各个第一半导体侧电极在所述过孔中限定的腔体部分。

12.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其中，所述第一半导体层的与所述发光层相反的表面具有微锥结构。