[发明专利]制造光吸收层的方法

摘要

本发明可以提供通过使用溅射法沉积并退火多层结构的前体而制造CIGS光吸收层的方法，其中使用了InxGaySez(IGS)和CuxSey的化合物靶，该方法具有提高的材料使用率、提高的生产率，并且即使在大的面积下也具有优异的薄膜均匀性。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，包括：在基板上形成下电极层；通过使用由IIIb族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述下电极层上形成第一前体层；通过使用由Ib族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述第一前体层上形成第二前体层；通过使用由IIIb族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述第二前体层上形成第三前体层；通过形成所述第三前体层，然后进行Se气氛热处理工艺而形成光吸收层；在所述光吸收层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成上电极层，其中所述第一前体层和所述第三前体层具有0.2至0.6的Ga/(Ga+In)的组成比，以及所述第一前体层在T1下形成，所述第二前体层在温度T2下形成，以及所述第三前体层在温度T3下形成，其中所述T2低于T1，T3高于或等于T2，以及所述T2低于250℃。