[发明专利]制造光吸收层的方法有效
| 申请号： | 201480024133.0 | 申请日： | 2014-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN105164820B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金珍赫;金譓俐;安成宰;金镇雄 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡胜有,苏虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 光吸收 方法 | ||
1.一种制造太阳能电池的方法，包括：
在基板上形成下电极层；
通过使用由IIIb族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述下电极层上形成第一前体层；
通过使用由Ib族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述第一前体层上形成第二前体层；
通过使用由IIIb族元素与Se的化合物组成的靶进行溅射在所述第二前体层上形成第三前体层；
通过形成所述第三前体层，然后进行Se气氛热处理工艺而形成光吸收层；
在所述光吸收层上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成上电极层，
其中所述第一前体层和所述第三前体层具有0.2至0.6的Ga/(Ga+In)的组成比，以及所述第一前体层在T1下形成，所述第二前体层在温度T2下形成，以及所述第三前体层在温度T3下形成，其中所述T2低于T1，T3高于或等于T2，以及所述T2低于250℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体层的形成、所述第二前体层的形成和所述第三前体层的形成在20℃至500℃的温度范围内进行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体层的形成、所述第二前体层的形成和所述第三前体层的形成在相同的温度范围或不同的温度范围内进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
在进行所述Se气氛热处理工艺之后，使用H2S进行热处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体层是单层，或者是两层或更多个层的多层，并且朝向所述第二前体层的厚度方向具有降低的镓(Ga)含量。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三前体层是单层，或者是两层或更多个层的多层，并且朝向所述缓冲层的厚度方向具有增加的镓(Ga)含量。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体层的镓(Ga)含量与所述第三前体层的镓(Ga)含量的比为1:1至3:1。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一前体层的厚度与所述第三前体层的厚度的比为1:1至5:1。
9.一种太阳能电池，其通过权利要求1至8中任一项所述的制造方法制造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SK新技术株式会社，未经SK新技术株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480024133.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理磁结构的工艺
- 下一篇：用于光伏电池或模块的背接触式基板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
