[发明专利]将切割掩模光刻与常规光刻组合以达成阈下图案特征

摘要

在半导体芯片上制造各个特征。这些特征小于用于创建芯片的光刻的阈值。一种方法包括图案化一特征(诸如局部互连)的第一部分和该特征的第二部分以分开达一预定距离，诸如线尖端到尖端间隔或线间隔。该方法进一步包括用切割掩模来图案化第一部分以形成第一子部分(例如触点)和第二子部分。第一子部分的尺寸小于第二预定距离的尺寸，第二预定距离可以是具有指定宽度分辨率的光刻工艺的线长分辨率。一种半导体器件的一特征包括第一部分和第二部分，第二部分具有小于第一部分的光刻分辨率的尺寸。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：图案化一特征的第一部分和所述特征的第二部分，所述第一部分和所述第二部分分开达第一预定距离，所述第一预定距离是用于图案化所述第一部分和所述第二部分的第一掩模的光刻分辨率；以及用切割掩模图案化所述第一部分以形成第一子部分和第二子部分，其中所述第一子部分的尺寸小于第二预定距离的尺寸，并且所述第二预定距离是具有指定宽度分辨率的光刻工艺的线长分辨率或用于图案化所述第一子部分和所述第二子部分的所述切割掩模的光刻分辨率。