[发明专利]将切割掩模光刻与常规光刻组合以达成阈下图案特征

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

图案化一特征的第一部分和所述特征的第二部分，所述第一部分和所述第二部分分开达第一预定距离，所述第一预定距离是用于图案化所述第一部分和所述第二部分的第一掩模的光刻分辨率；以及

用切割掩模图案化所述第一部分以形成第一子部分和第二子部分，其中所述第一子部分的尺寸小于第二预定距离的尺寸，并且所述第二预定距离是具有指定宽度分辨率的光刻工艺的线长分辨率或用于图案化所述第一子部分和所述第二子部分的所述切割掩模的光刻分辨率。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预定距离是线尖端到尖端间隔和线间隔之一。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述第一子部分和所述第二子部分上沉积导电材料以形成触点结构。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征是局部互连。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用切割掩模图案化所述第一部分进一步包括将所述第一部分蚀刻到所述第一子部分和所述第二子部分中。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述半导体器件集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或位置固定的数据单元中。

7.一种半导体器件的局部互连组件，包括：

第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分开达第一预定距离，所述第一预定距离是用于图案化所述第一部分和所述第二部分的第一掩模的光刻分辨率；以及

所述第一部分包括第一子部分和第二子部分，其中所述第一子部分的尺寸小于第二预定距离的尺寸，所述第二预定距离是具有指定宽度分辨率的光刻工艺的线长分辨率或用于图案化所述第一子部分和所述第二子部分的切割掩模的光刻分辨率。

8.如权利要求7所述的局部互连组件，其特征在于，所述第一子部分进一步包括导电材料以形成至所述第二部分的电触点。

9.如权利要求7所述的局部互连组件，其特征在于，所述第二部分从所述第一部分蚀刻。

10.如权利要求7所述的局部互连组件，其特征在于，所述特征被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

11.一种用于制造半导体器件的设备，包括：

用于图案化一特征的第一部分和所述特征的第二部分的装置，所述第一部分和所述第二部分分开达第一预定距离，所述第一预定距离是用于图案化所述第一部分和所述第二部分的第一掩模的光刻分辨率；以及

用于图案化所述第一部分以形成第一子部分和第二子部分的装置，其中所述第一子部分的尺寸小于第二预定距离的尺寸，并且所述第二预定距离是具有指定宽度分辨率的光刻工艺的线长分辨率或用于图案化所述第一子部分和所述第二子部分的切割掩模的光刻分辨率。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述设备被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。