[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201480020186.5 申请日: 2014-03-17
公开(公告)号: CN105122433A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 山本雅之;森伸一郎 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/683
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置的制造方法。在该半导体装置的制造方法中,在形成于半导体基板的多个半导体元件的分布区域中将以比该分布区域的面积小的面积且按照包围多个半导体元件的分断线切断而成的多张密封片粘贴在该半导体元件的分布区域的整个面上。将使该密封层固化而密封了半导体元件的半导体基板(W)隔着切割带保持在环框上之后输送到切割工序,沿着分断线切断,将切割带扩展而制造半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其用于将在剥离衬垫上形成有由树脂组合物形成的密封层的密封片材粘贴在半导体元件上来制造半导体装置,该半导体装置的制造方法的特征在于,该制造方法包括以下过程:粘贴过程,在形成于半导体基板的多个所述半导体元件的分布区域中将以比该分布区域的面积小的面积且按照包围多个半导体元件的分断线切断而成的多张密封片粘贴在该半导体元件的分布区域的整个面上;固化过程,使所述密封层固化;以及分断过程,将利用固化了的所述密封层将半导体元件密封之后的半导体基板分断。
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