[发明专利]成膜掩模有效
申请号: | 201480020185.0 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105121692B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 水村通伸;工藤修二;梶山康一 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是成膜掩模(1),成膜掩模(1)具有使树脂制的膜(3)与片状的磁性金属构件(2)的一面紧密接触而形成的结构,磁性金属构件(2)具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔(5),成膜掩模(1)设有在上述各贯通孔(5)内的上述膜(3)的部分贯通的多个开口图案(6),上述膜(3)具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性,上述膜(3)的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件(2)的上述贯通孔(5)的长轴交叉的方向一致。 | ||
搜索关键词: | 成膜掩模 | ||
【主权项】:
一种成膜掩模,其具有使树脂制的膜与片状的磁性金属构件的一面紧密接触而形成的结构,上述磁性金属构件具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔,上述成膜掩模设有在上述各贯通孔内的上述膜的部分贯通的多个开口图案,上述成膜掩模的特征在于,上述膜具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性,上述膜的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件的上述贯通孔的长轴交叉的方向一致。
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