[发明专利]成膜掩模

说明书

技术领域

本发明涉及使磁性金属构件和树脂制膜紧密接触而形成的结构的复合型的成膜掩模，特别是涉及可抑制热变形并实现所形成的薄膜图案的高精细化的成膜掩模。

背景技术

现有的成膜掩模是使用抗蚀剂掩模对板厚为30μm～100μm程度的金属板进行湿式蚀刻而形成狭缝状的开口图案的掩模(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009－129728号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在这样的现有的成膜掩模中，因为对金属板进行湿式蚀刻而形成贯通该金属板的多个开口图案，所以由于湿式蚀刻的各向同性蚀刻，开口图案的分辨率差，仅能形成板厚的几倍的开口宽度。

特别是，在使用线膨胀系数小到1×10^－6/℃程度的殷钢作为金属板时，由于殷钢难以进行湿式蚀刻，因此所形成的开口图案不能与有机EL用TFT基板的电极形状相应地形成为矩形。因此，在将殷钢用作掩模的基材时，一般如上述专利文献1记载的那样，开口图案大多形成为细长的狭缝状。

并且，图6(a)所示，这样的金属的成膜掩模1被在作为被成膜基板的基板17的背面配置的磁铁15吸附，在紧贴地保持于基板17的成膜面的状态下使用。在该情况下，作用于殷钢22的相邻的开口图案6间的细长状的部分22a的磁通在成膜掩模1的整个面上不一样，因此当为了提高紧贴力而增强磁铁15的磁场强度时，殷钢22的上述部分22a在与其长轴交叉的方向(X轴方向)移动，有时开口图案6变形。因此，通常应用将强度减弱到殷钢22的上述部分22a不移动的程度的磁场(例如，20mT程度)。

另一方面，如图6(b)所示，在将上述成膜掩模1应用于作为一边使作为成膜源的蒸镀源20向与狭缝状的开口图案6的长轴(Y轴)交叉的方向(X轴方向)移动一边蒸镀的成膜装置的蒸镀装置时，仅成膜掩模1的与蒸镀源20相对的部分被蒸镀源20的辐射热加热。特别是，该部分的殷钢22又薄又细长，因此与基板17相比热容小。因此，殷钢22的相邻的开口图案6间的细长状的部分22a发生热膨胀，会在其长轴方向(Y轴方向)延伸。

如上所述，由于不能使强度强的磁场作用于上述成膜掩模1，因此磁铁15对殷钢22的约束力弱。因此，被蒸镀源20加热而延伸的殷钢22的上述部分22a如图6(b)所示从基板17的蒸镀面剥离并垂下，在殷钢22的该部分22a的背面与基板17的蒸镀面之间产生间隙23。因此有如下问题：由于从蒸镀源20蒸发的蒸镀材料M的串入，薄膜图案21的边缘模糊或者形状扩大。特别是，薄膜图案21越高精细，越不能无视该问题，这也成为限制高精细化的一个原因。

因此，本发明的目的在于，应对这样的问题，提供可抑制热变形并实现所形成的薄膜图案的高精细化的成膜掩模。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的蒸镀掩模是成膜掩模，具有使树脂制的膜与片状的磁性金属构件的一面紧密接触而形成的结构，上述磁性金属构件具有并列排列的狭缝状的多个贯通孔，上述成膜掩模设有在上述各贯通孔内的上述膜的部分贯通的多个开口图案，上述膜具有线膨胀系数在正交二轴不同的各向异性，上述膜的线膨胀系数小的轴与和上述磁性金属构件的上述贯通孔的长轴交叉的方向一致。

发明效果

根据本发明，磁性金属构件的相邻的贯通孔间的细长状的部分通过膜在与其长轴交叉的方向相互连接而被限制相同方向的移动，因此，即使为了吸附磁性金属构件使掩模紧贴于基板而比以往增强配置于基板的背面的磁铁的磁场强度，磁性金属构件的上述部分也不可能移动。因此，通过增强磁铁的磁场强度而增加对磁性金属构件的吸附力，从而即使磁性金属构件被成膜源的辐射热部分地加热而延伸，也能防止磁性金属构件的上述部分从基板面剥离并垂下。故此，在掩模与基板之间不产生间隙，可抑制来自成膜源的成膜材料向掩模背面侧串入，能抑制薄膜图案的边缘模糊或者形状扩大。因此，即使薄膜图案的高精细化不断进展也能容易地对应。

另外，因为膜的线膨胀系数具有各向异性，上述膜的线膨胀系数小的轴与和磁性金属构件的贯通孔的长轴交叉的方向一致，所以可抑制膜向相同方向的延伸(热变形)，可抑制开口图案向相同方向的位置偏移和形状扩大。因此，也能与薄膜图案的高精细化对应。

附图说明