[发明专利]保护膜形成用复合片有效
申请号: | 201480017872.7 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN105074878B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 米山裕之;佐伯尚哉 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种保护膜形成用复合片(10),其具备在基材(11)上设置粘合剂层(12)而形成的粘合片(16)、保护膜形成用膜(13)和剥离膜(14)。将保护膜形成用膜(13)与剥离膜(14)之间的剥离力最大值设为α(mN/25mm)、将粘合片(16)与保护膜形成用膜(13)之间的剥离力最小值设为β(mN/25mm)、将粘合片(16)与保护膜形成用膜(13)之间的剥离力最大值设为γ(mN/25mm)时,α、β、γ具有以下(1)~(3)的关系。β≥70(1);α/β≤0.50(2);γ≤2000(3)。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 形成 复合 | ||
【主权项】:
一种保护膜形成用复合片,其具备:在基材上设置粘合剂层而形成的粘合片、粘贴在所述粘合剂层上的保护膜形成用膜、和粘贴在所述保护膜形成用膜的与粘贴在粘合剂层上的面相反侧的面上的剥离膜,所述保护膜形成用膜包含填充材料,在所述保护膜形成用膜中,填充材料的含量为45~80质量%,在试验片宽度25mm、剥离角度180度、测定温度23℃、拉伸速度300mm/min下测定时,将所述保护膜形成用膜与剥离膜之间的剥离力最大值设为α、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最小值设为β、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最大值设为γ时,α、β、γ具有以下(1)~(3)的关系,其中α、β、γ的单位为mN/25mm,β≥70 ···(1)α/β≤0.50 ···(2)γ≤2000 ···(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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