[发明专利]保护膜形成用复合片有效
申请号: | 201480017872.7 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN105074878B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 米山裕之;佐伯尚哉 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护膜 形成 复合 | ||
1.一种保护膜形成用复合片,其具备:在基材上设置粘合剂层而形成的粘合片、粘贴在所述粘合剂层上的保护膜形成用膜、和粘贴在所述保护膜形成用膜的与粘贴在粘合剂层上的面相反侧的面上的剥离膜,
所述保护膜形成用膜包含填充材料,在所述保护膜形成用膜中,填充材料的含量为45~80质量%,
在试验片宽度25mm、剥离角度180度、测定温度23℃、拉伸速度300mm/min下测定时,将所述保护膜形成用膜与剥离膜之间的剥离力最大值设为α、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最小值设为β、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最大值设为γ时,α、β、γ具有以下(1)~(3)的关系,其中α、β、γ的单位为mN/25mm,
β≥70···(1)
α/β≤0.50···(2)
γ≤2000···(3)。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片,其中,在试验片宽度25mm、剥离角度180度、测定温度23℃、拉伸速度300mm/min下测定时,将固化后的所述保护膜形成用膜与所述粘合片的剥离力最大值设为γ’时,满足以下(4)的关系,其中γ’的单位为mN/25mm,
γ’≤2000···(4)。
3.根据权利要求2所述的保护膜形成用复合片,其中,所述基材为聚丙烯膜或其交联膜,或者是它们中的至少一种膜与其它膜形成的叠层膜。
4.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片,其中,所述粘合剂层由使非能量线固化型粘合剂或能量线固化型粘合剂固化而得到的粘合剂形成。
5.根据权利要求2所述的保护膜形成用复合片,其中,所述粘合剂层由使非能量线固化型粘合剂或能量线固化型粘合剂固化而得到的粘合剂形成。
6.根据权利要求3所述的保护膜形成用复合片,其中,所述粘合剂层由使非能量线固化型粘合剂或能量线固化型粘合剂固化而得到的粘合剂形成。
7.一种权利要求1~6中任一项所述的保护膜形成用复合片的使用方法,该方法包括:
将剥离膜从所述保护膜形成用复合片上剥离,将所述保护膜形成用复合片的外周部粘贴在环状框架上,并在保护膜形成用膜的中央部分粘贴半导体晶片,
将得到的半导体晶片和保护膜形成用膜的叠层体进行切割,以带保护膜形成用膜的半导体芯片的形式单片化,并且
对单片化后的所述半导体芯片进行拾取。
8.权利要求1~6中任一项所述的保护膜形成用复合片的制造方法,该方法包括:
在剥离膜上形成保护膜形成用膜,制作保护膜形成用膜的剥离膜上载体的工序;
将基材贴合于形成在剥离膜上的粘合剂层,或者将粘合剂组合物涂布在基材上形成粘合剂层,从而制作所述粘合片的工序;以及
将所述保护膜形成用膜贴合在所述粘合片的粘合剂层面上,制作保护膜形成用复合片的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造